Spanningsdaling in IGBT in AAN-status Rekenmachine

✖Voorwaartse stroom van een IGBT is de maximale stroom die door het apparaat kan stromen wanneer het is ingeschakeld.ⓘ Voorwaartse stroming [I_f]			+10% -10%
✖N-kanaalweerstand van een IGBT is de weerstand van het halfgeleidermateriaal in het apparaat wanneer de IGBT is ingeschakeld.ⓘ N-kanaal weerstand [R_ch]			+10% -10%
✖Driftweerstand van een IGBT is het N-driftgebied van het halfgeleidermateriaal in het apparaat. Het N-driftgebied is een dik gedoteerd silicium dat de collector scheidt van het P-basisgebied.ⓘ Weerstand tegen drift [R_d]			+10% -10%
✖Spanning Pn Junction 1 wordt veroorzaakt door de potentiële barrière die op de kruising aanwezig is. Deze potentiële barrière wordt gecreëerd door de diffusie van ladingsdragers over de kruising.ⓘ Spanning Pn-verbinding 1 [V_j1]			+10% -10%

✖Spanningsval AAN-fase in een IGBT is het spanningsverschil tussen de collector- en emitteraansluitingen wanneer de IGBT is ingeschakeld. Het is halfgeleidermateriaal in het apparaat.ⓘ Spanningsdaling in IGBT in AAN-status [V_drop]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Formule

`"V"_{"drop"} = "I"_{"f"}*"R"_{"ch"}+"I"_{"f"}*"R"_{"d"}+"V"_{"j1"}`

Voorbeeld

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Vermogenselektronica Formule Pdf PDF Image

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Spanningsdaling OP het podium - (Gemeten in Volt) - Spanningsval AAN-fase in een IGBT is het spanningsverschil tussen de collector- en emitteraansluitingen wanneer de IGBT is ingeschakeld. Het is halfgeleidermateriaal in het apparaat.
Voorwaartse stroming - (Gemeten in Ampère) - Voorwaartse stroom van een IGBT is de maximale stroom die door het apparaat kan stromen wanneer het is ingeschakeld.
N-kanaal weerstand - (Gemeten in Ohm) - N-kanaalweerstand van een IGBT is de weerstand van het halfgeleidermateriaal in het apparaat wanneer de IGBT is ingeschakeld.
Weerstand tegen drift - (Gemeten in Ohm) - Driftweerstand van een IGBT is het N-driftgebied van het halfgeleidermateriaal in het apparaat. Het N-driftgebied is een dik gedoteerd silicium dat de collector scheidt van het P-basisgebied.
Spanning Pn-verbinding 1 - (Gemeten in Volt) - Spanning Pn Junction 1 wordt veroorzaakt door de potentiële barrière die op de kruising aanwezig is. Deze potentiële barrière wordt gecreëerd door de diffusie van ladingsdragers over de kruising.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Voorwaartse stroming: 1.69 milliampère --> 0.00169 Ampère (Bekijk de conversie hier)
N-kanaal weerstand: 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Bekijk de conversie hier)
Weerstand tegen drift: 0.98 Kilohm --> 980 Ohm (Bekijk de conversie hier)
Spanning Pn-verbinding 1: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Evalueren ... ...

V_drop = 20.2533

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

20.2533 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

20.2533 Volt <-- Spanningsdaling OP het podium

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT

Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1

Verzadigingsspanning van IGBT

Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)

IGBT-uitschakeltijd

Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd

Maximale vermogensdissipatie in IGBT

Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing

Ingangscapaciteit van IGBT

Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))

Emitterstroom van IGBT

Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status Formule

Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!