Ingangscapaciteit van IGBT Rekenmachine

✖Poort naar emittercapaciteit (Cⓘ Poort naar emittercapaciteit [C_(g-e)]			+10% -10%
✖Gate-to-collectorcapaciteit, ook bekend als de Miller-capaciteit, is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de poort- en collectorterminals van een IGBT.ⓘ Poort naar collectorcapaciteit [C_(g-c)]			+10% -10%

✖Ingangscapaciteit van een IGBT is de capaciteit tussen de poort- en emitteraansluitingen van het apparaat.ⓘ Ingangscapaciteit van IGBT [C_in]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Ingangscapaciteit van IGBT

Formule

`"C"_{"in"} = "C"_{"(g-e)"}+"C"_{"(g-c)"}`

Voorbeeld

`"5.76F"="0.21F"+"5.55F"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Vermogenselektronica Formule Pdf PDF Image

Ingangscapaciteit van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit
C_in = C_(g-e)+C_(g-c)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Ingangscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Ingangscapaciteit van een IGBT is de capaciteit tussen de poort- en emitteraansluitingen van het apparaat.
Poort naar emittercapaciteit - (Gemeten in Farad) - Poort naar emittercapaciteit (C
Poort naar collectorcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate-to-collectorcapaciteit, ook bekend als de Miller-capaciteit, is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de poort- en collectorterminals van een IGBT.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poort naar emittercapaciteit: 0.21 Farad --> 0.21 Farad Geen conversie vereist
Poort naar collectorcapaciteit: 5.55 Farad --> 5.55 Farad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_in = C_(g-e)+C_(g-c) --> 0.21+5.55

Evalueren ... ...

C_in = 5.76

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.76 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.76 Farad <-- Ingangscapaciteit

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Ingangscapaciteit van IGBT

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT

Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1

Verzadigingsspanning van IGBT

Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)

IGBT-uitschakeltijd

Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd

Maximale vermogensdissipatie in IGBT

Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing

Ingangscapaciteit van IGBT

Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))

Emitterstroom van IGBT

Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

Ingangscapaciteit van IGBT Formule

Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit
C_in = C_(g-e)+C_(g-c)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!