Эквивалентная большая емкость сигнального перехода Калькулятор

✖Периметр боковины – это длина боковины.ⓘ Периметр боковой стенки [P]			+10% -10%
✖Емкость бокового перехода относится к емкости, связанной с боковой стенкой полупроводникового перехода.ⓘ Емкость бокового перехода [C_jsw]			+10% -10%
✖Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке представляет собой соотношение между напряжением, приложенным к полупроводниковому устройству, и результирующим изменением емкости перехода на боковой стенке на единицу площади.ⓘ Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке [K_eq(sw)]			+10% -10%

✖Эквивалентная емкость соединения большого сигнала — это концепция, используемая при анализе цепей, где несколько конденсаторов объединяются в одну эквивалентную емкость большого сигнала.ⓘ Эквивалентная большая емкость сигнального перехода [C_eq(sw)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Формула

`"C"_{"eq(sw)"} = "P"*"C"_{"jsw"}*"K"_{"eq(sw)"}`

Пример

`"1.5E^-21F"="0.0025m"*"2.9E^-15F"*"0.00021"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода - (Измеряется в фарада) - Эквивалентная емкость соединения большого сигнала — это концепция, используемая при анализе цепей, где несколько конденсаторов объединяются в одну эквивалентную емкость большого сигнала.
Периметр боковой стенки - (Измеряется в метр) - Периметр боковины – это длина боковины.
Емкость бокового перехода - (Измеряется в фарада) - Емкость бокового перехода относится к емкости, связанной с боковой стенкой полупроводникового перехода.
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке - Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке представляет собой соотношение между напряжением, приложенным к полупроводниковому устройству, и результирующим изменением емкости перехода на боковой стенке на единицу площади.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Периметр боковой стенки: 0.0025 метр --> 0.0025 метр Конверсия не требуется
Емкость бокового перехода: 2.9E-15 фарада --> 2.9E-15 фарада Конверсия не требуется
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке: 0.00021 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_eq(sw) = P*C_jsw*K_eq(sw) --> 0.0025*2.9E-15*0.00021

Оценка ... ...

C_eq(sw) = 1.5225E-21

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.5225E-21 фарада --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.5225E-21 ≈ 1.5E-21 фарада <-- Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 21 МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Понизьте ток в линейной области

Идти Линейный регион Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Выходное напряжение-Выходное напряжение^2))

Уменьшите ток в области насыщения

Идти Область насыщения Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2)

Напряжение узла в данном случае

Идти Напряжение узла в данном случае = (Фактор крутизны/Емкость узла)*int(exp(-(1/(Сопротивление узла*Емкость узла))*(Временной период-x))*Ток, текущий в узел*x,x,0,Временной период)

Время насыщения

Идти Время насыщения = -2*Емкость нагрузки/(Параметр процесса крутизны*(Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)^2)*int(1,x,Высокое выходное напряжение,Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)

Ток стока, протекающий через МОП-транзистор

Идти Ток стока = (ширина канала/Длина канала)*Электронная подвижность*Оксидная емкость*int((Напряжение источника затвора-x-Пороговое напряжение),x,0,Напряжение источника стока)

Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области

Идти Линейная область во временной задержке = -2*Емкость перехода*int(1/(Параметр процесса крутизны*(2*(Входное напряжение-Пороговое напряжение)*x-x^2)),x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)

Плотность заряда области истощения

Идти Плотность заряда слоя истощения = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(Поверхностный потенциал-Объемный потенциал Ферми)))

Глубина истощения региона, связанного с дренажом

Идти Область истощения стока = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Встроенный потенциал соединения+Напряжение источника стока))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Потенциал Ферми для N-типа

Идти Потенциал Ферми для N-типа = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Концентрация донорской легирующей примеси/Собственная концентрация носителей)

Эквивалентная большая сигнальная емкость

Идти Эквивалентная большая сигнальная емкость = (1/(Конечное напряжение-Начальное напряжение))*int(Емкость перехода*x,x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)

Максимальная глубина истощения

Идти Максимальная глубина истощения = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Ток стока в области насыщения МОП-транзистора

Идти Ток стока области насыщения = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*int(Обвинение*Параметр короткого канала,x,0,Эффективная длина канала)

Потенциал Ферми для типа P

Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Заложенный потенциал в регионе истощения

Идти Встроенное напряжение = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(-2*Объемный потенциал Ферми)))

Глубина истощения Регион, связанный с источником

Идти Регион глубины истощения источника = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Встроенный потенциал соединения)/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Коэффициент смещения подложки

Идти Коэффициент смещения подложки = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Средняя мощность, рассеиваемая за период времени

Идти Средняя мощность = (1/Общее затраченное время)*int(Напряжение*Текущий,x,0,Общее затраченное время)

Рабочая функция в MOSFET

Идти Рабочая функция = Уровень вакуума+(Уровень энергии зоны проводимости-Уровень Ферми)

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины