Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Fermi-potentieel voor N-type Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
Analoge elektronica
Analoge communicatie
Antenne
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Magnetron theorie
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
VLSI-fabricage
⤿
MOSFET
BJT
⤿
MOS-transistor
Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)
Huidig
Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model
Kleine signaalanalyse
MOSFET-karakteristieken
N-Channel-verbetering
P-Channel-verbetering
Spanning
Transconductantie
Versterkingsfactor/winst
Vooringenomen
Weerstand
✖
Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.
ⓘ
Absolute temperatuur [T
a
]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Romer
drievoudig punt van water
+10%
-10%
✖
Donordoteringsconcentratie is de concentratie van donoratomen per volume-eenheid.
ⓘ
Concentratie van donordoteringsmiddelen [N
d
]
Elektronen per kubieke Angstrom
Elektronen per kubieke attometer
Elektronen per kubieke centimeter
Elektronen per kubieke femtometer
Elektronen per kubieke meter
Elektronen per kubieke micrometer
Elektronen per kubieke millimeter
Elektronen per kubieke nanometer
Elektronen per kubieke picometer
+10%
-10%
✖
Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden.
ⓘ
Intrinsieke dragerconcentratie [n
i
]
Elektronen per kubieke Angstrom
Elektronen per kubieke attometer
Elektronen per kubieke centimeter
Elektronen per kubieke femtometer
Elektronen per kubieke meter
Elektronen per kubieke micrometer
Elektronen per kubieke millimeter
Elektronen per kubieke nanometer
Elektronen per kubieke picometer
+10%
-10%
✖
Fermi Potential for N Type is een sleutelparameter die het energieniveau beschrijft waarbij de kans op het vinden van een elektron 0,5 is.
ⓘ
Fermi-potentieel voor N-type [Φ
Fn
]
abvolt
Attovolt
centivolt
decivolt
Dekavolt
EMU van elektrische spanning
ESU van elektrische spanning
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Fermi-potentieel voor N-type
Formule
`"Φ"_{"Fn"} = ("[BoltZ]"*"T"_{"a"})/"[Charge-e]"*ln("N"_{"d"}/"n"_{"i"})`
Voorbeeld
`"0.081443V"=("[BoltZ]"*"24.5K")/"[Charge-e]"*ln("1.7E^23electrons/m³"/"3000000electrons/m³")`
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOSFET Formule Pdf
Fermi-potentieel voor N-type Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Fermi-potentieel voor N-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentratie van donordoteringsmiddelen
/
Intrinsieke dragerconcentratie
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
)
Deze formule gebruikt
2
Constanten
,
1
Functies
,
4
Variabelen
Gebruikte constanten
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
Functies die worden gebruikt
ln
- De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)
Variabelen gebruikt
Fermi-potentieel voor N-type
-
(Gemeten in Volt)
- Fermi Potential for N Type is een sleutelparameter die het energieniveau beschrijft waarbij de kans op het vinden van een elektron 0,5 is.
Absolute temperatuur
-
(Gemeten in Kelvin)
- Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.
Concentratie van donordoteringsmiddelen
-
(Gemeten in Elektronen per kubieke meter)
- Donordoteringsconcentratie is de concentratie van donoratomen per volume-eenheid.
Intrinsieke dragerconcentratie
-
(Gemeten in Elektronen per kubieke meter)
- Intrinsieke dragerconcentratie is een fundamentele eigenschap van halfgeleidermateriaal en vertegenwoordigt de concentratie van thermisch gegenereerde ladingsdragers bij afwezigheid van externe invloeden.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Absolute temperatuur:
24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Geen conversie vereist
Concentratie van donordoteringsmiddelen:
1.7E+23 Elektronen per kubieke meter --> 1.7E+23 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsieke dragerconcentratie:
3000000 Elektronen per kubieke meter --> 3000000 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Φ
Fn
= ([BoltZ]*T
a
)/[Charge-e]*ln(N
d
/n
i
) -->
(
[BoltZ]
*24.5)/
[Charge-e]
*
ln
(1.7E+23/3000000)
Evalueren ... ...
Φ
Fn
= 0.081443344057026
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.081443344057026 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.081443344057026
≈
0.081443 Volt
<--
Fermi-potentieel voor N-type
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
MOSFET
»
Analoge elektronica
»
MOS-transistor
»
Fermi-potentieel voor N-type
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Dipanjona Mallick
Erfgoedinstituut voor technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
21 MOS-transistor Rekenmachines
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Gaan
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
= -(2*
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
)/(
Eindspanning
-
Initiële spanning
)*(
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Eindspanning
)-
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Initiële spanning
)))
Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden
Gaan
Lineaire regio pull-downstroom
=
sum
(x,0,
Aantal parallelle drivertransistors
,(
Elektronenmobiliteit
*
Oxidecapaciteit
/2)*(
Kanaalbreedte
/
Kanaallengte
)*(2*(
Poortbronspanning
-
Drempelspanning
)*
Uitgangsspanning
-
Uitgangsspanning
^2))
Knooppuntspanning bij gegeven instantie
Gaan
Knooppuntspanning bij gegeven instantie
= (
Transconductantiefactor
/
Knooppuntcapaciteit
)*
int
(
exp
(-(1/(
Knooppunt weerstand
*
Knooppuntcapaciteit
))*(
Tijdsperiode
-x))*
Stroom stroomt naar knooppunt
*x,x,0,
Tijdsperiode
)
Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden
Gaan
Verzadigingsregio Pull-downstroom
=
sum
(x,0,
Aantal parallelle drivertransistors
,(
Elektronenmobiliteit
*
Oxidecapaciteit
/2)*(
Kanaalbreedte
/
Kanaallengte
)*(
Poortbronspanning
-
Drempelspanning
)^2)
Verzadigingstijd
Gaan
Verzadigingstijd
= -2*
Belastingscapaciteit
/(
Transconductantieprocesparameter
*(
Hoge uitgangsspanning
-
Drempelspanning
)^2)*
int
(1,x,
Hoge uitgangsspanning
,
Hoge uitgangsspanning
-
Drempelspanning
)
Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied
Gaan
Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
*
modulus
(
Oppervlaktepotentieel
-
Bulk Fermi-potentieel
)))
Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt
Gaan
Lineair gebied in tijdvertraging
= -2*
Verbindingscapaciteit
*
int
(1/(
Transconductantieprocesparameter
*(2*(
Ingangsspanning
-
Drempelspanning
)*x-x^2)),x,
Initiële spanning
,
Eindspanning
)
Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit
Gaan
Afvoerstroom
= (
Kanaalbreedte
/
Kanaallengte
)*
Elektronenmobiliteit
*
Oxidecapaciteit
*
int
((
Poortbronspanning
-x-
Drempelspanning
),x,0,
Afvoerbronspanning
)
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer
Gaan
De diepte van het uitputtingsgebied van de drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Ingebouwd verbindingspotentieel
+
Afvoerbronspanning
))/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
Fermi-potentieel voor N-type
Gaan
Fermi-potentieel voor N-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentratie van donordoteringsmiddelen
/
Intrinsieke dragerconcentratie
)
Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor
Gaan
Verzadigingsgebied Afvoerstroom
=
Kanaalbreedte
*
Verzadiging Elektronendriftsnelheid
*
int
(
Aanval
*
Korte kanaalparameter
,x,0,
Effectieve kanaallengte
)
Fermi-potentieel voor P-type
Gaan
Fermi-potentieel voor P-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsieke dragerconcentratie
/
Dopingconcentratie van acceptor
)
Maximale uitputtingsdiepte
Gaan
Maximale uitputtingsdiepte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Bulk Fermi-potentieel
))/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
Equivalente grote signaalcapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalcapaciteit
= (1/(
Eindspanning
-
Initiële spanning
))*
int
(
Verbindingscapaciteit
*x,x,
Initiële spanning
,
Eindspanning
)
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio
Gaan
Ingebouwde spanning
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
*
modulus
(-2*
Bulk Fermi-potentieel
)))
Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron
Gaan
Bron's diepte van de uitputtingsregio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Ingebouwd verbindingspotentieel
)/(
[Charge-e]
*
Dopingconcentratie van acceptor
))
Substraat bias-coëfficiënt
Gaan
Substraat bias-coëfficiënt
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
)/
Oxidecapaciteit
Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd
Gaan
Gemiddeld vermogen
= (1/
Totale tijd besteed
)*
int
(
Spanning
*
Huidig
,x,0,
Totale tijd genomen
)
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
=
Omtrek van zijwand
*
Zijwandverbindingscapaciteit
*
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Werkfunctie in MOSFET
Gaan
Werk functie
=
Vacuümniveau
+(
Energieniveau van de geleidingsband
-
Fermi-niveau
)
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
Gaan
Zijwandverbindingscapaciteit
=
Zero Bias zijwandverbindingspotentieel
*
Diepte van zijwand
Fermi-potentieel voor N-type Formule
Fermi-potentieel voor N-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentratie van donordoteringsmiddelen
/
Intrinsieke dragerconcentratie
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
)
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!