Potentiel de Fermi pour le type N Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Potentiel de Fermi pour le type N = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration de dopant du donneur/Concentration intrinsèque de porteurs)
ΦFn = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(Nd/ni)
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables
Constantes utilisées
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23
Fonctions utilisées
ln - Le logarithme népérien, également appelé logarithme en base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)
Variables utilisées
Potentiel de Fermi pour le type N - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de Fermi pour le type N est un paramètre clé qui décrit le niveau d'énergie auquel la probabilité de trouver un électron est de 0,5.
Température absolue - (Mesuré en Kelvin) - La température absolue est une mesure de l'énergie thermique dans un système et se mesure en kelvins.
Concentration de dopant du donneur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopant donneur est la concentration d’atomes donneurs par unité de volume.
Concentration intrinsèque de porteurs - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration intrinsèque des porteurs est une propriété fondamentale d'un matériau semi-conducteur et représente la concentration des porteurs de charge générés thermiquement en l'absence de toute influence externe.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Température absolue: 24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Aucune conversion requise
Concentration de dopant du donneur: 1.7E+23 Électrons par mètre cube --> 1.7E+23 Électrons par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration intrinsèque de porteurs: 3000000 Électrons par mètre cube --> 3000000 Électrons par mètre cube Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
ΦFn = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(Nd/ni) --> ([BoltZ]*24.5)/[Charge-e]*ln(1.7E+23/3000000)
Évaluer ... ...
ΦFn = 0.081443344057026
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.081443344057026 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.081443344057026 0.081443 Volt <-- Potentiel de Fermi pour le type N
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Vérifié par Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Transistors MOS Calculatrices

Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
​ Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))
Potentiel de Fermi pour le type P
​ Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)
Capacité équivalente à grande jonction de signal
​ Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
​ Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

Potentiel de Fermi pour le type N Formule

Potentiel de Fermi pour le type N = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration de dopant du donneur/Concentration intrinsèque de porteurs)
ΦFn = ([BoltZ]*Ta)/[Charge-e]*ln(Nd/ni)
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