Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Потенциал Ферми для N-типа Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Аналоговая электроника
EDC
Аналоговая связь
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Изготовление СБИС
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
МОП-транзистор
БЮТ
⤿
МОП-транзистор
Анализ малых сигналов
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)
Коэффициент усиления/усиление
крутизна
Напряжение
Предвзятость
Сопротивление
Текущий
Улучшение N-канала
Улучшение P-канала
Характеристики МОП-транзистора
✖
Абсолютная температура является мерой тепловой энергии в системе и измеряется в кельвинах.
ⓘ
Абсолютная температура [T
a
]
Цельсия
Делиль
Фаренгейт
Кельвин
Ньютон
Ранкин
температура по реомюру
Ромер
Тройной точки воды
+10%
-10%
✖
Концентрация донорной легирующей примеси — это концентрация донорных атомов в единице объема.
ⓘ
Концентрация донорской легирующей примеси [N
d
]
Электронов на кубический ангстрем
Электронов на кубический аттометр
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический фемтометр
Электронов на кубический метр
Электронов на кубический микрометр
Электронов на кубический миллиметр
Электронов на кубический нанометр
Электронов на кубический пикометр
+10%
-10%
✖
Собственная концентрация носителей заряда является фундаментальным свойством полупроводникового материала и представляет собой концентрацию термически генерируемых носителей заряда в отсутствие каких-либо внешних воздействий.
ⓘ
Собственная концентрация носителей [n
i
]
Электронов на кубический ангстрем
Электронов на кубический аттометр
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический фемтометр
Электронов на кубический метр
Электронов на кубический микрометр
Электронов на кубический миллиметр
Электронов на кубический нанометр
Электронов на кубический пикометр
+10%
-10%
✖
Потенциал Ферми для N-типа — ключевой параметр, описывающий энергетический уровень, на котором вероятность найти электрон равна 0,5.
ⓘ
Потенциал Ферми для N-типа [Φ
Fn
]
Abvolt
Аттовольт
сантивольт
Децивольт
Декавольт
EMU электрического потенциала
ESU электрического потенциала
Фемтовольт
Гигавольт
Гектовольт
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
петавольт
пиковольт
Планка напряжения
Statvolt
Теравольт
вольт
Ватт / Ампер
Йоктовольт
Цептовольт
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Потенциал Ферми для N-типа
Формула
`"Φ"_{"Fn"} = ("[BoltZ]"*"T"_{"a"})/"[Charge-e]"*ln("N"_{"d"}/"n"_{"i"})`
Пример
`"0.081443V"=("[BoltZ]"*"24.5K")/"[Charge-e]"*ln("1.7E^23electrons/m³"/"3000000electrons/m³")`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать МОП-транзистор формула PDF
Потенциал Ферми для N-типа Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Потенциал Ферми для N-типа
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Концентрация донорской легирующей примеси
/
Собственная концентрация носителей
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
)
В этой формуле используются
2
Константы
,
1
Функции
,
4
Переменные
Используемые константы
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
[BoltZ]
- постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23
Используемые функции
ln
- Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию e, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)
Используемые переменные
Потенциал Ферми для N-типа
-
(Измеряется в вольт)
- Потенциал Ферми для N-типа — ключевой параметр, описывающий энергетический уровень, на котором вероятность найти электрон равна 0,5.
Абсолютная температура
-
(Измеряется в Кельвин)
- Абсолютная температура является мерой тепловой энергии в системе и измеряется в кельвинах.
Концентрация донорской легирующей примеси
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Концентрация донорной легирующей примеси — это концентрация донорных атомов в единице объема.
Собственная концентрация носителей
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Собственная концентрация носителей заряда является фундаментальным свойством полупроводникового материала и представляет собой концентрацию термически генерируемых носителей заряда в отсутствие каких-либо внешних воздействий.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Абсолютная температура:
24.5 Кельвин --> 24.5 Кельвин Конверсия не требуется
Концентрация донорской легирующей примеси:
1.7E+23 Электронов на кубический метр --> 1.7E+23 Электронов на кубический метр Конверсия не требуется
Собственная концентрация носителей:
3000000 Электронов на кубический метр --> 3000000 Электронов на кубический метр Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Φ
Fn
= ([BoltZ]*T
a
)/[Charge-e]*ln(N
d
/n
i
) -->
(
[BoltZ]
*24.5)/
[Charge-e]
*
ln
(1.7E+23/3000000)
Оценка ... ...
Φ
Fn
= 0.081443344057026
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.081443344057026 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.081443344057026
≈
0.081443 вольт
<--
Потенциал Ферми для N-типа
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
МОП-транзистор
»
Аналоговая электроника
»
МОП-транзистор
»
Потенциал Ферми для N-типа
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия
(ХИТК)
,
Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
21 МОП-транзистор Калькуляторы
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Идти
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
= -(2*
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
)/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
)*(
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Конечное напряжение
)-
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Начальное напряжение
)))
Понизьте ток в линейной области
Идти
Линейный регион Понижающий ток
=
sum
(x,0,
Количество транзисторов параллельного управления
,(
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
/2)*(
ширина канала
/
Длина канала
)*(2*(
Напряжение источника затвора
-
Пороговое напряжение
)*
Выходное напряжение
-
Выходное напряжение
^2))
Уменьшите ток в области насыщения
Идти
Область насыщения Понижающий ток
=
sum
(x,0,
Количество транзисторов параллельного управления
,(
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
/2)*(
ширина канала
/
Длина канала
)*(
Напряжение источника затвора
-
Пороговое напряжение
)^2)
Напряжение узла в данном случае
Идти
Напряжение узла в данном случае
= (
Фактор крутизны
/
Емкость узла
)*
int
(
exp
(-(1/(
Сопротивление узла
*
Емкость узла
))*(
Временной период
-x))*
Ток, текущий в узел
*x,x,0,
Временной период
)
Время насыщения
Идти
Время насыщения
= -2*
Емкость нагрузки
/(
Параметр процесса крутизны
*(
Высокое выходное напряжение
-
Пороговое напряжение
)^2)*
int
(1,x,
Высокое выходное напряжение
,
Высокое выходное напряжение
-
Пороговое напряжение
)
Ток стока, протекающий через МОП-транзистор
Идти
Ток стока
= (
ширина канала
/
Длина канала
)*
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
*
int
((
Напряжение источника затвора
-x-
Пороговое напряжение
),x,0,
Напряжение источника стока
)
Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области
Идти
Линейная область во временной задержке
= -2*
Емкость перехода
*
int
(1/(
Параметр процесса крутизны
*(2*(
Входное напряжение
-
Пороговое напряжение
)*x-x^2)),x,
Начальное напряжение
,
Конечное напряжение
)
Плотность заряда области истощения
Идти
Плотность заряда слоя истощения
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(
Поверхностный потенциал
-
Объемный потенциал Ферми
)))
Глубина истощения региона, связанного с дренажом
Идти
Область истощения стока
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Встроенный потенциал соединения
+
Напряжение источника стока
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Потенциал Ферми для N-типа
Идти
Потенциал Ферми для N-типа
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Концентрация донорской легирующей примеси
/
Собственная концентрация носителей
)
Эквивалентная большая сигнальная емкость
Идти
Эквивалентная большая сигнальная емкость
= (1/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
))*
int
(
Емкость перехода
*x,x,
Начальное напряжение
,
Конечное напряжение
)
Максимальная глубина истощения
Идти
Максимальная глубина истощения
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Объемный потенциал Ферми
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Ток стока в области насыщения МОП-транзистора
Идти
Ток стока области насыщения
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
int
(
Обвинение
*
Параметр короткого канала
,x,0,
Эффективная длина канала
)
Потенциал Ферми для типа P
Идти
Потенциал Ферми для типа P
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Собственная концентрация носителей
/
Легирующая концентрация акцептора
)
Заложенный потенциал в регионе истощения
Идти
Встроенное напряжение
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(-2*
Объемный потенциал Ферми
)))
Глубина истощения Регион, связанный с источником
Идти
Регион глубины истощения источника
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Встроенный потенциал соединения
)/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Коэффициент смещения подложки
Идти
Коэффициент смещения подложки
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
)/
Оксидная емкость
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
Идти
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
=
Периметр боковой стенки
*
Емкость бокового перехода
*
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Средняя мощность, рассеиваемая за период времени
Идти
Средняя мощность
= (1/
Общее затраченное время
)*
int
(
Напряжение
*
Текущий
,x,0,
Общее затраченное время
)
Рабочая функция в MOSFET
Идти
Рабочая функция
=
Уровень вакуума
+(
Уровень энергии зоны проводимости
-
Уровень Ферми
)
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Идти
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
Потенциал Ферми для N-типа формула
Потенциал Ферми для N-типа
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Концентрация донорской легирующей примеси
/
Собственная концентрация носителей
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
)
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!