Calculadora A a Z
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Potencial de Fermi para tipo N Calculadora
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Atual
Características MOSFET
Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência
Fator/ganho de amplificação
Resistência
Taxa de rejeição de modo comum (CMRR)
Tendência
Tensão
Transcondutância
✖
A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.
ⓘ
Temperatura absoluta [T
a
]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Romer
ponto triplo da água
+10%
-10%
✖
A Concentração de Dopante Doador é a concentração de átomos doadores por unidade de volume.
ⓘ
Concentração de dopante doador [N
d
]
Elétrons por Angstrom Cúbico
Elétrons por Atômetro Cúbico
Elétrons por Centímetro Cúbico
Elétrons por Femtômetro Cúbico
Elétrons por metro cúbico
Elétrons por Micrômetro Cúbico
Elétrons por milímetro cúbico
Elétrons por nanômetro cúbico
Elétrons por Picômetro Cúbico
+10%
-10%
✖
A concentração intrínseca de portadores é uma propriedade fundamental de um material semicondutor e representa a concentração de portadores de carga gerados termicamente na ausência de quaisquer influências externas.
ⓘ
Concentração Intrínseca de Portadores [n
i
]
Elétrons por Angstrom Cúbico
Elétrons por Atômetro Cúbico
Elétrons por Centímetro Cúbico
Elétrons por Femtômetro Cúbico
Elétrons por metro cúbico
Elétrons por Micrômetro Cúbico
Elétrons por milímetro cúbico
Elétrons por nanômetro cúbico
Elétrons por Picômetro Cúbico
+10%
-10%
✖
O potencial de Fermi para o tipo N é um parâmetro chave que descreve o nível de energia no qual a probabilidade de encontrar um elétron é de 0,5.
ⓘ
Potencial de Fermi para tipo N [Φ
Fn
]
Abvolt
Attovolt
Centivot
Decivolt
Decavolt
EMU de potencial elétrico
ESU de potencial elétrico
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Potencial de Fermi para tipo N
Fórmula
`"Φ"_{"Fn"} = ("[BoltZ]"*"T"_{"a"})/"[Charge-e]"*ln("N"_{"d"}/"n"_{"i"})`
Exemplo
`"0.081443V"=("[BoltZ]"*"24.5K")/"[Charge-e]"*ln("1.7E^23electrons/m³"/"3000000electrons/m³")`
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Potencial de Fermi para tipo N Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Potencial de Fermi para tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração de dopante doador
/
Concentração Intrínseca de Portadores
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
)
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funções
,
4
Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23
Funções usadas
ln
- O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)
Variáveis Usadas
Potencial de Fermi para tipo N
-
(Medido em Volt)
- O potencial de Fermi para o tipo N é um parâmetro chave que descreve o nível de energia no qual a probabilidade de encontrar um elétron é de 0,5.
Temperatura absoluta
-
(Medido em Kelvin)
- A temperatura absoluta é uma medida da energia térmica em um sistema e é medida em Kelvins.
Concentração de dopante doador
-
(Medido em Elétrons por metro cúbico)
- A Concentração de Dopante Doador é a concentração de átomos doadores por unidade de volume.
Concentração Intrínseca de Portadores
-
(Medido em Elétrons por metro cúbico)
- A concentração intrínseca de portadores é uma propriedade fundamental de um material semicondutor e representa a concentração de portadores de carga gerados termicamente na ausência de quaisquer influências externas.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Temperatura absoluta:
24.5 Kelvin --> 24.5 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Concentração de dopante doador:
1.7E+23 Elétrons por metro cúbico --> 1.7E+23 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração Intrínseca de Portadores:
3000000 Elétrons por metro cúbico --> 3000000 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Φ
Fn
= ([BoltZ]*T
a
)/[Charge-e]*ln(N
d
/n
i
) -->
(
[BoltZ]
*24.5)/
[Charge-e]
*
ln
(1.7E+23/3000000)
Avaliando ... ...
Φ
Fn
= 0.081443344057026
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.081443344057026 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.081443344057026
≈
0.081443 Volt
<--
Potencial de Fermi para tipo N
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Transistor MOS
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Potencial de Fermi para tipo N
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia
(HITK)
,
Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
21 Transistor MOS Calculadoras
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Vai
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
)/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
)*(
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Final
)-
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Inicial
)))
Puxar para baixo a corrente na região linear
Vai
Corrente de redução da região linear
=
sum
(x,0,
Número de transistores de driver paralelo
,(
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
/2)*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*(2*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão de limiar
)*
Voltagem de saída
-
Voltagem de saída
^2))
Tensão do nó em determinada instância
Vai
Tensão do nó em determinada instância
= (
Fator de Transcondutância
/
Capacitância do nó
)*
int
(
exp
(-(1/(
Resistência do nó
*
Capacitância do nó
))*(
Período de tempo
-x))*
Corrente fluindo para o nó
*x,x,0,
Período de tempo
)
Puxe para baixo a corrente na região de saturação
Vai
Corrente de redução da região de saturação
=
sum
(x,0,
Número de transistores de driver paralelo
,(
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
/2)*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão de limiar
)^2)
Tempo de saturação
Vai
Tempo de saturação
= -2*
Capacitância de Carga
/(
Parâmetro do Processo de Transcondutância
*(
Alta Tensão de Saída
-
Tensão de limiar
)^2)*
int
(1,x,
Alta Tensão de Saída
,
Alta Tensão de Saída
-
Tensão de limiar
)
Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS
Vai
Corrente de drenagem
= (
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
*
int
((
Tensão da Fonte da Porta
-x-
Tensão de limiar
),x,0,
Tensão da fonte de drenagem
)
Densidade de Carga da Região de Esgotamento
Vai
Densidade de Carga da Camada de Esgotamento
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(
Potencial de Superfície
-
Potencial de Fermi em massa
)))
Atraso de tempo quando o NMOS opera na região linear
Vai
Região Linear em Atraso de Tempo
= -2*
Capacitância de Junção
*
int
(1/(
Parâmetro do Processo de Transcondutância
*(2*(
Tensão de entrada
-
Tensão de limiar
)*x-x^2)),x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno
Vai
Região de profundidade de esgotamento do dreno
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potencial de junção integrado
+
Tensão da fonte de drenagem
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS
Vai
Corrente de drenagem da região de saturação
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
int
(
Carregar
*
Parâmetro de canal curto
,x,0,
Comprimento Efetivo do Canal
)
Profundidade Máxima de Esgotamento
Vai
Profundidade Máxima de Esgotamento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potencial de Fermi em massa
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Potencial de Fermi para tipo P
Vai
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Potencial de Fermi para tipo N
Vai
Potencial de Fermi para tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração de dopante doador
/
Concentração Intrínseca de Portadores
)
Potencial integrado na região de esgotamento
Vai
Tensão embutida
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi em massa
)))
Capacitância equivalente de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de sinal grande
= (1/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
))*
int
(
Capacitância de Junção
*x,x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
Profundidade da região de esgotamento associada à fonte
Vai
Região de profundidade de esgotamento da fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potencial de junção integrado
)/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Coeficiente de polarização do substrato
Vai
Coeficiente de polarização do substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
)/
Capacitância de Óxido
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
=
Perímetro da parede lateral
*
Capacitância de Junção Lateral
*
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo
Vai
Potencia média
= (1/
Tempo total gasto
)*
int
(
Tensão
*
Atual
,x,0,
Tempo Total Levado
)
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
Vai
Capacitância de Junção Lateral
=
Potencial de junção da parede lateral com polarização zero
*
Profundidade da parede lateral
Função de trabalho no MOSFET
Vai
Função no trabalho
=
Nível de vácuo
+(
Nível de energia da banda de condução
-
Nível Fermi
)
Potencial de Fermi para tipo N Fórmula
Potencial de Fermi para tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração de dopante doador
/
Concentração Intrínseca de Portadores
)
Φ
Fn
= (
[BoltZ]
*
T
a
)/
[Charge-e]
*
ln
(
N
d
/
n
i
)
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