✖Gate Substrate Capacitance off Time van een FET kan een aanzienlijke invloed hebben op de uitschakeltijd (toff) van het apparaat.ⓘ Poortsubstraatcapaciteit uit-tijd [Coff(gss)] | | | +10% -10% |
✖Gate-substraatspanning is het spanningsverschil tussen de gate- en substraataansluitingen van een FET. Het is een belangrijke parameter voor FET-werking.ⓘ Poortsubstraatspanning [Vgss] | | | +10% -10% |
✖Psi (ψ) is de oppervlaktepotentiaal van een FET. Het is het potentiaalverschil tussen het halfgeleideroppervlak en de bulkhalfgeleider.ⓘ Psi [Ψ0] | | | +10% -10% |