Capacitância do substrato de porta do FET Calculadora

✖O tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta de um FET pode ter um impacto significativo no tempo de desligamento (toff) do dispositivo.ⓘ Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta [C_off(gss)]			+10% -10%
✖Tensão do substrato da porta é a diferença de tensão entre os terminais da porta e do substrato de um FET. É um parâmetro importante para a operação do FET.ⓘ Tensão do Substrato da Porta [V_gss]			+10% -10%
✖Psi (ψ) é o potencial de superfície de um FET. É a diferença de potencial entre a superfície do semicondutor e o semicondutor a granel.ⓘ psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖A capacitância do substrato da porta de um FET é a capacitância entre os terminais da porta e do substrato do FET.ⓘ Capacitância do substrato de porta do FET [C_gss]

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Fórmula

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Capacitância do substrato de porta do FET

Fórmula

`"C"_{"gss"} = "C"_{"off(gss)"}/(1-("V"_{"gss"}/"Ψ"_{"0"}))^(1/2)`

Exemplo

`"40.54954F"="18.95F"/(1-("14.53V"/"0.01859kPa"))^(1/2)`

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Capacitância do substrato de porta do FET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância do Substrato da Porta = Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta/(1-(Tensão do Substrato da Porta/psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância do Substrato da Porta - (Medido em Farad) - A capacitância do substrato da porta de um FET é a capacitância entre os terminais da porta e do substrato do FET.
Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta - (Medido em Farad) - O tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta de um FET pode ter um impacto significativo no tempo de desligamento (toff) do dispositivo.
Tensão do Substrato da Porta - (Medido em Volt) - Tensão do substrato da porta é a diferença de tensão entre os terminais da porta e do substrato de um FET. É um parâmetro importante para a operação do FET.
psi - (Medido em Pascal) - Psi (ψ) é o potencial de superfície de um FET. É a diferença de potencial entre a superfície do semicondutor e o semicondutor a granel.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta: 18.95 Farad --> 18.95 Farad Nenhuma conversão necessária
Tensão do Substrato da Porta: 14.53 Volt --> 14.53 Volt Nenhuma conversão necessária
psi: 0.01859 Quilopascal --> 18.59 Pascal (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2) --> 18.95/(1-(14.53/18.59))^(1/2)

Avaliando ... ...

C_gss = 40.5495363144907

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

40.5495363144907 Farad --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

40.5495363144907 ≈ 40.54954 Farad <-- Capacitância do Substrato da Porta

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Mohamed Fazil V

Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 9 FET Calculadoras

Corrente de drenagem da região ôhmica do FET

Vai Corrente de drenagem = Condutância do Canal*(Drenar para a tensão da fonte+3/2*((psi+Ganho para tensão da fonte-Drenar para a tensão da fonte)^(3/2)-(psi+Ganho para tensão da fonte)^(3/2))/((psi+Aperte a tensão)^(1/2)))

Transcondutância de FET

Vai Transcondutância direta = (2*Corrente de drenagem de polarização zero)/Aperte a tensão*(1-Ganho para tensão da fonte/Aperte a tensão)

Tensão da fonte de drenagem do FET

Vai Drenar para a tensão da fonte = Tensão de alimentação no dreno-Corrente de drenagem*(Resistência à drenagem+Resistência da Fonte)

Capacitância do substrato de porta do FET

Vai Capacitância do Substrato da Porta = Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta/(1-(Tensão do Substrato da Porta/psi))^(1/2)

Capacitância de drenagem do portão do FET

Vai Porta para drenar a capacitância = Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão/(1-Porta para Drenar Tensão/psi)^(1/3)

Capacitância da fonte de porta do FET

Vai Porta para capacitância de fonte = Tempo de desligamento da capacitância da fonte da porta/(1-(Ganho para tensão da fonte/psi))^(1/3)

Corrente de drenagem do FET

Vai Corrente de drenagem = Corrente de drenagem de polarização zero*(1-Ganho para tensão da fonte/Ganho de corte para tensão da fonte)^2

Corte a tensão do FET

Vai Aperte a tensão = Aperte o dreno para a tensão da fonte-Ganho para tensão da fonte

Ganho de tensão do FET

Vai Ganho de tensão = -Transcondutância direta*Resistência à drenagem

Capacitância do substrato de porta do FET Fórmula

Capacitância do Substrato da Porta = Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta/(1-(Tensão do Substrato da Porta/psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)

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