Capacité du substrat de porte du FET Calculatrice

✖Le temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte d'un FET peut avoir un impact significatif sur le temps d'arrêt (toff) de l'appareil.ⓘ Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte [C_off(gss)]			+10% -10%
✖La tension du substrat de grille est la différence de tension entre les bornes de grille et de substrat d'un FET. C'est un paramètre important pour le fonctionnement du FET.ⓘ Tension du substrat de porte [V_gss]			+10% -10%
✖Psi (ψ) est le potentiel de surface d'un FET. C'est la différence de potentiel entre la surface du semi-conducteur et le semi-conducteur massif.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖La capacité du substrat de grille d'un FET est la capacité entre les bornes de grille et de substrat du FET.ⓘ Capacité du substrat de porte du FET [C_gss]

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Formule

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Capacité du substrat de porte du FET

Formule

`"C"_{"gss"} = "C"_{"off(gss)"}/(1-("V"_{"gss"}/"Ψ"_{"0"}))^(1/2)`

Exemple

`"40.54954F"="18.95F"/(1-("14.53V"/"0.01859kPa"))^(1/2)`

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Capacité du substrat de porte du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité du substrat de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité du substrat de grille d'un FET est la capacité entre les bornes de grille et de substrat du FET.
Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte - (Mesuré en Farad) - Le temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte d'un FET peut avoir un impact significatif sur le temps d'arrêt (toff) de l'appareil.
Tension du substrat de porte - (Mesuré en Volt) - La tension du substrat de grille est la différence de tension entre les bornes de grille et de substrat d'un FET. C'est un paramètre important pour le fonctionnement du FET.
Psi - (Mesuré en Pascal) - Psi (ψ) est le potentiel de surface d'un FET. C'est la différence de potentiel entre la surface du semi-conducteur et le semi-conducteur massif.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte: 18.95 Farad --> 18.95 Farad Aucune conversion requise
Tension du substrat de porte: 14.53 Volt --> 14.53 Volt Aucune conversion requise
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2) --> 18.95/(1-(14.53/18.59))^(1/2)

Évaluer ... ...

C_gss = 40.5495363144907

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

40.5495363144907 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

40.5495363144907 ≈ 40.54954 Farad <-- Capacité du substrat de porte

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2

Capacité du substrat de porte du FET

Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)

Capacité de source de porte du FET

Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source

Transconductance directe du FET

Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Capacité du substrat de porte du FET Formule

Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)

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