Calculadora Capacitancia del sustrato de puerta de FET

✖La capacitancia del sustrato de la puerta en tiempo de apagado de un FET puede tener un impacto significativo en el tiempo de apagado (toff) del dispositivo.ⓘ Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad [C_off(gss)]			+10% -10%
✖El voltaje del sustrato de la puerta es la diferencia de voltaje entre los terminales de la puerta y del sustrato de un FET. Es un parámetro importante para el funcionamiento de FET.ⓘ Voltaje del sustrato de la puerta [V_gss]			+10% -10%
✖Psi (ψ) es el potencial superficial de un FET. Es la diferencia de potencial entre la superficie del semiconductor y el semiconductor en masa.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖La capacitancia del sustrato de puerta de un FET es la capacitancia entre los terminales de puerta y sustrato del FET.ⓘ Capacitancia del sustrato de puerta de FET [C_gss]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

✖

Capacitancia del sustrato de puerta de FET

Fórmula

`"C"_{"gss"} = "C"_{"off(gss)"}/(1-("V"_{"gss"}/"Ψ"_{"0"}))^(1/2)`

Ejemplo

`"40.54954F"="18.95F"/(1-("14.53V"/"0.01859kPa"))^(1/2)`

Calculadora

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Electrónica de potencia Fórmula PDF PDF Image

Capacitancia del sustrato de puerta de FET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia del sustrato de puerta = Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad/(1-(Voltaje del sustrato de la puerta/Psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia del sustrato de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia del sustrato de puerta de un FET es la capacitancia entre los terminales de puerta y sustrato del FET.
Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad - (Medido en Faradio) - La capacitancia del sustrato de la puerta en tiempo de apagado de un FET puede tener un impacto significativo en el tiempo de apagado (toff) del dispositivo.
Voltaje del sustrato de la puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje del sustrato de la puerta es la diferencia de voltaje entre los terminales de la puerta y del sustrato de un FET. Es un parámetro importante para el funcionamiento de FET.
Psi - (Medido en Pascal) - Psi (ψ) es el potencial superficial de un FET. Es la diferencia de potencial entre la superficie del semiconductor y el semiconductor en masa.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad: 18.95 Faradio --> 18.95 Faradio No se requiere conversión
Voltaje del sustrato de la puerta: 14.53 Voltio --> 14.53 Voltio No se requiere conversión
Psi: 0.01859 kilopascal --> 18.59 Pascal (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2) --> 18.95/(1-(14.53/18.59))^(1/2)

Evaluar ... ...

C_gss = 40.5495363144907

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

40.5495363144907 Faradio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

40.5495363144907 ≈ 40.54954 Faradio <-- Capacitancia del sustrato de puerta

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Eléctrico » Electrónica de potencia » Dispositivos de transistores avanzados » FET » Capacitancia del sustrato de puerta de FET

Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 9 FET Calculadoras

Corriente de drenaje de la región óhmica de FET

Vamos Corriente de drenaje = Conductancia del canal*(Drenaje a voltaje de fuente+3/2*((Psi+Ganancia a voltaje de fuente-Drenaje a voltaje de fuente)^(3/2)-(Psi+Ganancia a voltaje de fuente)^(3/2))/((Psi+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))

Transconductancia de FET

Vamos Transconductancia directa = (2*Corriente de drenaje de polarización cero)/Tensión de pellizco apagado*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Tensión de pellizco apagado)

Voltaje de fuente de drenaje de FET

Vamos Drenaje a voltaje de fuente = Voltaje de suministro en el drenaje-Corriente de drenaje*(Resistencia al drenaje+Resistencia de la fuente)

Capacitancia del sustrato de puerta de FET

Vamos Capacitancia del sustrato de puerta = Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad/(1-(Voltaje del sustrato de la puerta/Psi))^(1/2)

Corriente de drenaje de FET

Vamos Corriente de drenaje = Corriente de drenaje de polarización cero*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Ganancia de corte a voltaje de fuente)^2

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a drenaje = Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo/(1-Voltaje de puerta a drenaje/Psi)^(1/3)

Capacitancia de fuente de puerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a fuente = Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo/(1-(Ganancia a voltaje de fuente/Psi))^(1/3)

Pellizcar el voltaje del FET

Vamos Tensión de pellizco apagado = Apague el drenaje para alimentar el voltaje-Ganancia a voltaje de fuente

Ganancia de voltaje de FET

Vamos Ganancia de voltaje = -Transconductancia directa*Resistencia al drenaje

Capacitancia del sustrato de puerta de FET Fórmula

Capacitancia del sustrato de puerta = Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad/(1-(Voltaje del sustrato de la puerta/Psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!