Gate-Substratkapazität des FET Taschenrechner

✖Die Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität eines FET kann einen erheblichen Einfluss auf die Ausschaltzeit (toff) des Geräts haben.ⓘ Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität [C_off(gss)]			+10% -10%
✖Die Gate-Substratspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen den Gate- und Substratanschlüssen eines FET. Dies ist ein wichtiger Parameter für den FET-Betrieb.ⓘ Gate-Substratspannung [V_gss]			+10% -10%
✖Psi (ψ) ist das Oberflächenpotential eines FET. Es handelt sich um die Potentialdifferenz zwischen der Halbleiteroberfläche und dem massiven Halbleiter.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖Die Gate-Substratkapazität eines FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Substratanschlüssen des FET.ⓘ Gate-Substratkapazität des FET [C_gss]

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Formel

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Gate-Substratkapazität des FET

Formel

`"C"_{"gss"} = "C"_{"off(gss)"}/(1-("V"_{"gss"}/"Ψ"_{"0"}))^(1/2)`

Beispiel

`"40.54954F"="18.95F"/(1-("14.53V"/"0.01859kPa"))^(1/2)`

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Gate-Substratkapazität des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-Substratkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Substratkapazität eines FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Substratanschlüssen des FET.
Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität eines FET kann einen erheblichen Einfluss auf die Ausschaltzeit (toff) des Geräts haben.
Gate-Substratspannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Substratspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen den Gate- und Substratanschlüssen eines FET. Dies ist ein wichtiger Parameter für den FET-Betrieb.
Psi - (Gemessen in Pascal) - Psi (ψ) ist das Oberflächenpotential eines FET. Es handelt sich um die Potentialdifferenz zwischen der Halbleiteroberfläche und dem massiven Halbleiter.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität: 18.95 Farad --> 18.95 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Substratspannung: 14.53 Volt --> 14.53 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2) --> 18.95/(1-(14.53/18.59))^(1/2)

Auswerten ... ...

C_gss = 40.5495363144907

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

40.5495363144907 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

40.5495363144907 ≈ 40.54954 Farad <-- Gate-Substratkapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)

Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)

Gate-Substratkapazität des FET

Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

Gate-Substratkapazität des FET Formel

Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)
C_gss = C_off(gss)/(1-(V_gss/Ψ₀))^(1/2)

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