Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖De effectieve diffusie is een parameter die verband houdt met het diffusieproces van dragers en wordt beïnvloed door materiaaleigenschappen en de geometrie van de halfgeleiderovergang.ⓘ Effectieve verspreiding [D_n]			+10% -10%
✖Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.ⓘ Zenderbasisverbindingsgebied [A]			+10% -10%
✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke concentratie [n_i]			+10% -10%
✖Collectorstroom is de stroom die door de collectoraansluiting van de transistor vloeit en is de stroom die door de transistor wordt versterkt.ⓘ Collectorstroom [I_c]			+10% -10%
✖Spanning Basisemitter is de spanning tussen de basis en de emitter wanneer deze in voorwaartse richting is voorgespannen, waarbij de collector is losgekoppeld.ⓘ Spanningsbasis-emitter [V_be]			+10% -10%
✖Thermische spanning is de spanning die wordt gecreëerd door de verbinding van ongelijksoortige metalen wanneer er een temperatuurverschil bestaat tussen deze verbindingen.ⓘ Thermische spanning [V_t]			+10% -10%

✖Totale onzuiverheid definieert de onzuiverheden die met een atoom per oppervlakte-eenheid in een basis worden gemengd, of de hoeveelheid onzuiverheid die aan een intrinsieke halfgeleider wordt toegevoegd, varieert het niveau van geleidbaarheid.ⓘ Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid [Q_b]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Formule

`"Q"_{"b"} = "D"_{"n"}*("A"*(("q"*"n"_{"i"}^2)/"I"_{"c"})*exp("V"_{"be"}/"V"_{"t"}))`

Voorbeeld

`"3.6E^9cm²"="0.5"*("1.75cm²"*(("5mC"*("1.32/cm³")^2)/"4.92A")*exp("3.5V"/"4.1V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))
Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 8 Variabelen

Functies die worden gebruikt

exp - Bij een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)

Variabelen gebruikt

Totale onzuiverheid - (Gemeten in Plein Meter) - Totale onzuiverheid definieert de onzuiverheden die met een atoom per oppervlakte-eenheid in een basis worden gemengd, of de hoeveelheid onzuiverheid die aan een intrinsieke halfgeleider wordt toegevoegd, varieert het niveau van geleidbaarheid.
Effectieve verspreiding - De effectieve diffusie is een parameter die verband houdt met het diffusieproces van dragers en wordt beïnvloed door materiaaleigenschappen en de geometrie van de halfgeleiderovergang.
Zenderbasisverbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is de stroom die door de collectoraansluiting van de transistor vloeit en is de stroom die door de transistor wordt versterkt.
Spanningsbasis-emitter - (Gemeten in Volt) - Spanning Basisemitter is de spanning tussen de basis en de emitter wanneer deze in voorwaartse richting is voorgespannen, waarbij de collector is losgekoppeld.
Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning is de spanning die wordt gecreëerd door de verbinding van ongelijksoortige metalen wanneer er een temperatuurverschil bestaat tussen deze verbindingen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Effectieve verspreiding: 0.5 --> Geen conversie vereist
Zenderbasisverbindingsgebied: 1.75 Plein Centimeter --> 0.000175 Plein Meter (Bekijk de conversie hier)
Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Intrinsieke concentratie: 1.32 1 per kubieke centimeter --> 1320000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Collectorstroom: 4.92 Ampère --> 4.92 Ampère Geen conversie vereist
Spanningsbasis-emitter: 3.5 Volt --> 3.5 Volt Geen conversie vereist
Thermische spanning: 4.1 Volt --> 4.1 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t)) --> 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1))

Evalueren ... ...

Q_b = 363831.258671893

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

363831.258671893 Plein Meter -->3638312586.71893 Plein Centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

3638312586.71893 ≈ 3.6E+9 Plein Centimeter <-- Totale onzuiverheid

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!