Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.ⓘ Aanval [q]			+10% -10%
✖Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.ⓘ Elektronendoping Siliciummobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖De elektronenconcentratie wordt beïnvloed door verschillende factoren, zoals temperatuur, onzuiverheden of doteermiddelen die aan het halfgeleidermateriaal worden toegevoegd, en externe elektrische of magnetische velden.ⓘ Elektronenconcentratie [n_e]			+10% -10%
✖Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Hole Doping Siliciummobiliteit [μ_p]			+10% -10%
✖Gatenconcentratie impliceert een groter aantal beschikbare ladingsdragers in het materiaal, wat de geleidbaarheid en verschillende halfgeleiderapparaten beïnvloedt.ⓘ Gatenconcentratie [p]			+10% -10%

✖Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.ⓘ Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid [σ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Formule

`"σ" = "q"*("μ"_{"n"}*"n"_{"e"}+"μ"_{"p"}*"p")`

Voorbeeld

`"0.10442mho/cm"="5mC"*("0.38cm²/V*s"*"50.6/cm³"+"2.4cm²/V*s"*"0.69/cm³")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)
Deze formule gebruikt 6 Variabelen

Variabelen gebruikt

Ohmse geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Elektronendoping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronendoping Siliciummobiliteit karakteriseert hoe snel een elektron door een metaal of halfgeleider kan bewegen wanneer het door een elektrisch veld wordt getrokken.
Elektronenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De elektronenconcentratie wordt beïnvloed door verschillende factoren, zoals temperatuur, onzuiverheden of doteermiddelen die aan het halfgeleidermateriaal worden toegevoegd, en externe elektrische of magnetische velden.
Hole Doping Siliciummobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Gatendoping Siliciummobiliteit is het vermogen van een gat om zich door een metaal of halfgeleider te verplaatsen in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.
Gatenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie impliceert een groter aantal beschikbare ladingsdragers in het materiaal, wat de geleidbaarheid en verschillende halfgeleiderapparaten beïnvloedt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie hier)
Elektronendoping Siliciummobiliteit: 0.38 Vierkante centimeter per volt seconde --> 3.8E-05 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Elektronenconcentratie: 50.6 1 per kubieke centimeter --> 50600000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Hole Doping Siliciummobiliteit: 2.4 Vierkante centimeter per volt seconde --> 0.00024 Vierkante meter per volt per seconde (Bekijk de conversie hier)
Gatenconcentratie: 0.69 1 per kubieke centimeter --> 690000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)

Evalueren ... ...

σ = 10.442

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

10.442 Siemens/Meter -->0.10442 Mho/Centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.10442 Mho/Centimeter <-- Ohmse geleidbaarheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid Formule

Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!