Onzuiverheid met intrinsieke concentratie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖De elektronenconcentratie wordt beïnvloed door verschillende factoren, zoals temperatuur, onzuiverheden of doteermiddelen die aan het halfgeleidermateriaal worden toegevoegd, en externe elektrische of magnetische velden.ⓘ Elektronenconcentratie [n_e]			+10% -10%
✖Gatenconcentratie impliceert een groter aantal beschikbare ladingsdragers in het materiaal, wat de geleidbaarheid en verschillende halfgeleiderapparaten beïnvloedt.ⓘ Gatenconcentratie [p]			+10% -10%
✖Temperatuuronzuiverheid: een basisindex die de gemiddelde luchttemperatuur over verschillende tijdschalen weergeeft.ⓘ Temperatuuronzuiverheid [t_o]			+10% -10%

✖Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Onzuiverheid met intrinsieke concentratie [n_i]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Formule

`"n"_{"i"} = sqrt(("n"_{"e"}*"p")/"t"_{"o"})`

Voorbeeld

`"1.321249/cm³"=sqrt(("50.6/cm³"*"0.69/cm³")/"20K")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Intrinsieke concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke concentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Elektronenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De elektronenconcentratie wordt beïnvloed door verschillende factoren, zoals temperatuur, onzuiverheden of doteermiddelen die aan het halfgeleidermateriaal worden toegevoegd, en externe elektrische of magnetische velden.
Gatenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie impliceert een groter aantal beschikbare ladingsdragers in het materiaal, wat de geleidbaarheid en verschillende halfgeleiderapparaten beïnvloedt.
Temperatuuronzuiverheid - (Gemeten in Kelvin) - Temperatuuronzuiverheid: een basisindex die de gemiddelde luchttemperatuur over verschillende tijdschalen weergeeft.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektronenconcentratie: 50.6 1 per kubieke centimeter --> 50600000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Gatenconcentratie: 0.69 1 per kubieke centimeter --> 690000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Temperatuuronzuiverheid: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Evalueren ... ...

n_i = 1321249.40870375

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1321249.40870375 1 per kubieke meter -->1.32124940870375 1 per kubieke centimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 per kubieke centimeter <-- Intrinsieke concentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie Formule

Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!