Doorbraakspanning van collector-emitter Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Collector Base Breakout Voltage is de maximale spanning tussen de collector- en basisterminals van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.ⓘ Collectorbasis doorbraakspanning [V_cb]			+10% -10%
✖De huidige versterking van BJT wordt gebruikt om de versterkingseigenschappen van de transistor te beschrijven. Het geeft aan hoeveel de collectorstroom wordt versterkt ten opzichte van de basisstroom.ⓘ Huidige winst van BJT [i_g]			+10% -10%
✖Wortelnummer vertegenwoordigt een constante of een factor die verband houdt met de transistor.ⓘ Wortelnummer [n]			+10% -10%

✖Collector-emitter-doorbraakspanning is de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.ⓘ Doorbraakspanning van collector-emitter [V_ce]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Doorbraakspanning van collector-emitter

Formule

`"V"_{"ce"} = "V"_{"cb"}/("i"_{"g"})^(1/"n")`

Voorbeeld

`"2.103602V"="3.52V"/("2.8V")^(1/"2")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Doorbraakspanning van collector-emitter Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Collector-emitter doorbraakspanning - (Gemeten in Volt) - Collector-emitter-doorbraakspanning is de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.
Collectorbasis doorbraakspanning - (Gemeten in Volt) - Collector Base Breakout Voltage is de maximale spanning tussen de collector- en basisterminals van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.
Huidige winst van BJT - (Gemeten in Volt) - De huidige versterking van BJT wordt gebruikt om de versterkingseigenschappen van de transistor te beschrijven. Het geeft aan hoeveel de collectorstroom wordt versterkt ten opzichte van de basisstroom.
Wortelnummer - Wortelnummer vertegenwoordigt een constante of een factor die verband houdt met de transistor.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Collectorbasis doorbraakspanning: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Geen conversie vereist
Huidige winst van BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Geen conversie vereist
Wortelnummer: 2 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Evalueren ... ...

V_ce = 2.10360235242853

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.10360235242853 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Volt <-- Collector-emitter doorbraakspanning

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Doorbraakspanning van collector-emitter

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Doorbraakspanning van collector-emitter Formule

Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!