Ingangscapaciteit van IGBT Rekenmachine

✖Gate to Emitter Capacitance (IGBT) is de capaciteit tussen de gate- en emitteraansluitingen van het apparaat.ⓘ Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) [C_(g-e)(igbt)]			+10% -10%
✖Gate to Collector Capacitance (IGBT), ook bekend als de Miller-capaciteit, is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en collectorterminals van een IGBT.ⓘ Poort naar collectorcapaciteit (IGBT) [C_(g-c)(igbt)]			+10% -10%

✖Ingangscapaciteit (IGBT) is de capaciteit tussen de poort- en emitteraansluitingen van het apparaat.ⓘ Ingangscapaciteit van IGBT [C_in(igbt)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Ingangscapaciteit van IGBT

Formule

`"C"_{"in(igbt)"} = "C"_{"(g-e)(igbt)"}+"C"_{"(g-c)(igbt)"}`

Voorbeeld

`"5.76F"="0.21F"+"5.55F"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Ingangscapaciteit van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)
C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Ingangscapaciteit (IGBT) - (Gemeten in Farad) - Ingangscapaciteit (IGBT) is de capaciteit tussen de poort- en emitteraansluitingen van het apparaat.
Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT) - (Gemeten in Farad) - Gate to Emitter Capacitance (IGBT) is de capaciteit tussen de gate- en emitteraansluitingen van het apparaat.
Poort naar collectorcapaciteit (IGBT) - (Gemeten in Farad) - Gate to Collector Capacitance (IGBT), ook bekend als de Miller-capaciteit, is een parasitaire capaciteit die bestaat tussen de gate- en collectorterminals van een IGBT.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT): 0.21 Farad --> 0.21 Farad Geen conversie vereist
Poort naar collectorcapaciteit (IGBT): 5.55 Farad --> 5.55 Farad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt) --> 0.21+5.55

Evalueren ... ...

C_in(igbt) = 5.76

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.76 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.76 Farad <-- Ingangscapaciteit (IGBT)

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Ingangscapaciteit van IGBT

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< 8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT

Gaan Voorwaartse stroom (IGBT) = (-Totale spanning van collector en emitter (IGBT)+sqrt((Totale spanning van collector en emitter (IGBT))^2+4*Weerstand van collector en emitter (IGBT)*((Maximaal operationeel kruispunt (IGBT)-Behuizingstemperatuur IGBT)/Thermische weerstand (IGBT))))/(2*Weerstand van collector en emitter (IGBT))

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Gaan Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)

Verzadigingsspanning van IGBT

Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter (IGBT) = Basis-emitterspanning PNP IGBT+Afvoerstroom (IGBT)*(Geleidbaarheidsweerstand IGBT+N-kanaalweerstand (IGBT))

IGBT-uitschakeltijd

Gaan Uitschakeltijd (IGBT) = Vertragingstijd (IGBT)+Initiële valtijd (IGBT)+Laatste herfsttijd (IGBT)

Maximale vermogensdissipatie in IGBT

Gaan Maximale vermogensdissipatie (IGBT) = Maximaal operationeel kruispunt (IGBT)/Verbinding met hoek van behuizing (IGBT)

Ingangscapaciteit van IGBT

Gaan Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)

Emitterstroom van IGBT

Gaan Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Gaan Doorslagspanning SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading (IGBT))^(3/4))

Ingangscapaciteit van IGBT Formule

Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)
C_in(igbt) = C_(g-e)(igbt)+C_(g-c)(igbt)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!