Intrinsieke poortcapaciteit Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖MOS-poortcapaciteit is een belangrijke factor bij het berekenen van de poortoverlapcapaciteit.ⓘ MOS-poortcapaciteit [C_gcs]			+10% -10%
✖Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.ⓘ Overgangsbreedte [W]			+10% -10%

✖MOS Gate Overlap Capacitance is een capaciteit die voortkomt uit de constructie van het apparaat zelf en meestal wordt geassocieerd met de interne PN-overgangen.ⓘ Intrinsieke poortcapaciteit [C_mos]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Intrinsieke poortcapaciteit

Formule

`"C"_{"mos"} = "C"_{"gcs"}*"W"`

Voorbeeld

`"1.799993μF"="20.04μF"*"89.82mm"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Intrinsieke poortcapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte
C_mos = C_gcs*W
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

MOS-poortoverlappingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - MOS Gate Overlap Capacitance is een capaciteit die voortkomt uit de constructie van het apparaat zelf en meestal wordt geassocieerd met de interne PN-overgangen.
MOS-poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - MOS-poortcapaciteit is een belangrijke factor bij het berekenen van de poortoverlapcapaciteit.
Overgangsbreedte - (Gemeten in Meter) - Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

MOS-poortcapaciteit: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Overgangsbreedte: 89.82 Millimeter --> 0.08982 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_mos = C_gcs*W --> 2.004E-05*0.08982

Evalueren ... ...

C_mos = 1.7999928E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.7999928E-06 Farad -->1.7999928 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.7999928 ≈ 1.799993 Microfarad <-- MOS-poortoverlappingscapaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Intrinsieke poortcapaciteit

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Intrinsieke poortcapaciteit Formule

MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte
C_mos = C_gcs*W

Wat is de noodzaak van doping in CMOS?

Doping in CMOS-technologie wordt gebruikt om onzuiverheden in het halfgeleidermateriaal te introduceren en zo de elektrische eigenschappen ervan te veranderen. Door doteermiddelen toe te voegen kan het aantal vrije ladingsdragers (elektronen of gaten) worden vergroot, waardoor een grotere controle over het elektrische gedrag van het apparaat mogelijk is. Dit is essentieel voor het creëren van hoogwaardige CMOS-circuits die zowel n-type als p-type transistors gebruiken.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!