Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-omvormers

Array Datapath-subsysteem

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Gate Drain-capaciteit van PMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de gate- en drain-terminals van de MOSFET.ⓘ Gate Drain-capaciteit van PMOS [C_gd,p]			+10% -10%
✖Gate Drain-capaciteit van NMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de gate- en drain-terminals van de MOSFET.ⓘ Gate Drain-capaciteit van NMOS [C_gd,n]			+10% -10%
✖Drain Bulk-capaciteit van PMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de drain- en bulkterminals van de MOSFET.ⓘ Tap de bulkcapaciteit van PMOS af [C_db,p]			+10% -10%
✖Drain Bulk-capaciteit van NMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de drain- en bulkterminals van de MOSFET.ⓘ Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren [C_db,n]			+10% -10%
✖Interne capaciteit van de omvormer CMOS wordt gedefinieerd als de interne capaciteit van de omvormer.ⓘ Interne capaciteit [C_in]			+10% -10%
✖De poortcapaciteit van de CMOS van de omvormer is te wijten aan de dunne-oxidecapaciteit over het poortgebied.ⓘ Poortcapaciteit [C_g]			+10% -10%

✖Belastingscapaciteit van omvormer-CMOS wordt gedefinieerd als gecombineerde capaciteiten in een equivalente lineaire capaciteit.ⓘ Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer [C_load]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Formule

`"C"_{"load"} = "C"_{"gd,p"}+"C"_{"gd,n"}+"C"_{"db,p"}+"C"_{"db,n"}+"C"_{"in"}+"C"_{"g"}`

Voorbeeld

`"0.85fF"="0.15fF"+"0.1fF"+"0.25fF"+"0.2fF"+"0.05fF"+"0.1fF"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-ontwerp en toepassingen Formule Pdf PDF Image

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Belastingscapaciteit = Gate Drain-capaciteit van PMOS+Gate Drain-capaciteit van NMOS+Tap de bulkcapaciteit van PMOS af+Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren+Interne capaciteit+Poortcapaciteit
C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g
Deze formule gebruikt 7 Variabelen

Variabelen gebruikt

Belastingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Belastingscapaciteit van omvormer-CMOS wordt gedefinieerd als gecombineerde capaciteiten in een equivalente lineaire capaciteit.
Gate Drain-capaciteit van PMOS - (Gemeten in Farad) - Gate Drain-capaciteit van PMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de gate- en drain-terminals van de MOSFET.
Gate Drain-capaciteit van NMOS - (Gemeten in Farad) - Gate Drain-capaciteit van NMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de gate- en drain-terminals van de MOSFET.
Tap de bulkcapaciteit van PMOS af - (Gemeten in Farad) - Drain Bulk-capaciteit van PMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de drain- en bulkterminals van de MOSFET.
Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren - (Gemeten in Farad) - Drain Bulk-capaciteit van NMOS in CMOS wordt gedefinieerd als de capaciteit tussen de drain- en bulkterminals van de MOSFET.
Interne capaciteit - (Gemeten in Farad) - Interne capaciteit van de omvormer CMOS wordt gedefinieerd als de interne capaciteit van de omvormer.
Poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - De poortcapaciteit van de CMOS van de omvormer is te wijten aan de dunne-oxidecapaciteit over het poortgebied.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gate Drain-capaciteit van PMOS: 0.15 Femtofarad --> 1.5E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
Gate Drain-capaciteit van NMOS: 0.1 Femtofarad --> 1E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
Tap de bulkcapaciteit van PMOS af: 0.25 Femtofarad --> 2.5E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren: 0.2 Femtofarad --> 2E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)
Interne capaciteit: 0.05 Femtofarad --> 5E-17 Farad (Bekijk de conversie hier)
Poortcapaciteit: 0.1 Femtofarad --> 1E-16 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_load = C_gd,p+C_gd,n+C_db,p+C_db,n+C_in+C_g --> 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1E-16

Evalueren ... ...

C_load = 8.5E-16

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

8.5E-16 Farad -->0.85 Femtofarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.85 Femtofarad <-- Belastingscapaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-omvormers » Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 17 CMOS-omvormers Rekenmachines

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met lage naar hoge output

Gaan Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van PMOS*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))))*(((2*abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel)))+ln((4*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/Voedingsspanning)-1))

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met hoge naar lage output

Gaan Tijd voor overgang van hoog naar laag output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van NMOS*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)))*((2*Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning/(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning))+ln((4*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)/Voedingsspanning)-1))

Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning = Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-sqrt((Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))^2-(2*Voedingsspanning/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))

Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning CMOS = (2*Uitgangsspanning voor maximale invoer+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)-Voedingsspanning+Transconductantieverhouding*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/(1+Transconductantieverhouding)

Drempelspanning CMOS

Gaan Drempelspanning = (Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel+sqrt(1/Transconductantieverhouding)*(Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)))/(1+sqrt(1/Transconductantieverhouding))

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)+Transconductantieverhouding*(2*Uitgangsspanning+Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel))/(1+Transconductantieverhouding)

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Gaan Belastingscapaciteit = Gate Drain-capaciteit van PMOS+Gate Drain-capaciteit van NMOS+Tap de bulkcapaciteit van PMOS af+Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren+Interne capaciteit+Poortcapaciteit

Energie geleverd door voeding

Gaan Energie geleverd door voeding = int(Voedingsspanning*Onmiddellijke afvoerstroom*x,x,0,Oplaadinterval van condensator)

Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS = Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Gaan Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2

Gemiddelde vermogensdissipatie CMOS

Gaan Gemiddelde vermogensdissipatie = Belastingscapaciteit*(Voedingsspanning)^2*Frequentie

Maximale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning = (3*Voedingsspanning+2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Minimale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (5*Voedingsspanning-2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Oscillatieperiode Ringoscillator CMOS

Gaan Oscillatieperiode = 2*Aantal fasen Ringoscillator*Gemiddelde voortplantingsvertraging

Transconductantieverhouding CMOS

Gaan Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS

Ruismarge voor CMOS met hoog signaal

Gaan Ruismarge voor hoog signaal = Maximale uitgangsspanning-Minimale ingangsspanning

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!