✖A capacitância de drenagem de porta do PMOS em CMOS é definida como a capacitância entre os terminais de porta e dreno do MOSFET.ⓘ Capacitância de drenagem do portão do PMOS [Cgd,p] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de drenagem de porta do NMOS no CMOS é definida como a capacitância entre os terminais de porta e dreno do MOSFET.ⓘ Capacitância de drenagem do portão do NMOS [Cgd,n] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de dreno em massa do PMOS em CMOS é definida como a capacitância entre os terminais de dreno e de massa do MOSFET.ⓘ Drenar capacitância em massa do PMOS [Cdb,p] | | | +10% -10% |
✖A capacitância de dreno em massa do NMOS no CMOS é definida como a capacitância entre os terminais de dreno e de massa do MOSFET.ⓘ Drenar capacitância em massa de NMOS [Cdb,n] | | | +10% -10% |
✖A capacitância interna do inversor CMOS é definida como a capacitância interna do inversor.ⓘ Capacitância Interna [Cin] | | | +10% -10% |
✖A capacitância da porta do inversor CMOS é devida à capacitância de óxido fino na área da porta.ⓘ Capacitância do portão [Cg] | | | +10% -10% |