Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de carga CMOS do inversor = Capacitância de drenagem da porta PMOS+Capacitância de drenagem da porta NMOS+Capacitância em massa de drenagem PMOS+Capacitância em massa de drenagem NMOS+Capacitância interna do CMOS do inversor+Capacitância da porta CMOS do inversor
Cload = Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Esta fórmula usa 7 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância de carga CMOS do inversor - (Medido em Farad) - A capacitância de carga CMOS do inversor é a capacitância acionada pela saída de um inversor CMOS, incluindo fiação, capacitâncias de entrada de portas conectadas e capacitâncias parasitas.
Capacitância de drenagem da porta PMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de drenagem da porta PMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor PMOS, impactando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Capacitância de drenagem da porta NMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de drenagem da porta NMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor NMOS, influenciando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Capacitância em massa de drenagem PMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de dreno PMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o substrato de um transistor PMOS, influenciando seu comportamento em diversas aplicações de circuito.
Capacitância em massa de drenagem NMOS - (Medido em Farad) - A capacitância de dreno NMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o volume (substrato) de um transistor NMOS, impactando suas características de comutação e desempenho geral.
Capacitância interna do CMOS do inversor - (Medido em Farad) - A capacitância interna do CMOS do inversor refere-se às capacitâncias parasitas dentro de um inversor CMOS, incluindo capacitâncias de junção e sobreposição, afetando sua velocidade de comutação e consumo de energia.
Capacitância da porta CMOS do inversor - (Medido em Farad) - A capacitância da porta CMOS do inversor é a capacitância total no terminal da porta de um inversor CMOS, impactando a velocidade de comutação e o consumo de energia, consistindo de porta-fonte.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de drenagem da porta PMOS: 0.15 FemtoFarad --> 1.5E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância de drenagem da porta NMOS: 0.1 FemtoFarad --> 1E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância em massa de drenagem PMOS: 0.25 FemtoFarad --> 2.5E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância em massa de drenagem NMOS: 0.2 FemtoFarad --> 2E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância interna do CMOS do inversor: 0.05 FemtoFarad --> 5E-17 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância da porta CMOS do inversor: 0.18 FemtoFarad --> 1.8E-16 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cload = Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg --> 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16
Avaliando ... ...
Cload = 9.3E-16
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
9.3E-16 Farad -->0.93 FemtoFarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
0.93 FemtoFarad <-- Capacitância de carga CMOS do inversor
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Priyanka Patel LinkedIn Logo
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh LinkedIn Logo
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Inversores CMOS Calculadoras

Tensão máxima de entrada CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão máxima de entrada CMOS = (2*Tensão de saída para entrada máxima+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)-Tensão de alimentação+Razão de Transcondutância*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/(1+Razão de Transcondutância)
Tensão Limite CMOS
​ LaTeX ​ Vai Tensão de limiar = (Tensão limite de NMOS sem polarização corporal+sqrt(1/Razão de Transcondutância)*(Tensão de alimentação+(Tensão limite de PMOS sem polarização corporal)))/(1+sqrt(1/Razão de Transcondutância))
Tensão máxima de entrada para CMOS simétrico
​ LaTeX ​ Vai CMOS simétrico de tensão máxima de entrada = (3*Tensão de alimentação+2*Tensão limite de NMOS sem polarização corporal)/8
Margem de ruído para CMOS de alto sinal
​ LaTeX ​ Vai Margem de ruído para sinal alto = Tensão máxima de saída-Tensão Mínima de Entrada

Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância de carga CMOS do inversor = Capacitância de drenagem da porta PMOS+Capacitância de drenagem da porta NMOS+Capacitância em massa de drenagem PMOS+Capacitância em massa de drenagem NMOS+Capacitância interna do CMOS do inversor+Capacitância da porta CMOS do inversor
Cload = Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!