Transconductantieparameter van MOS-transistor Rekenmachine

✖Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.ⓘ Afvoerstroom [i_d]			+10% -10%
✖De spanning over het oxide is te wijten aan de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is te wijten aan de ladingsdichtheid in het oxide.ⓘ Spanning over oxide [V_ox]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%
✖De spanning tussen poort en bron is de spanning die over de poort-bronaansluiting van de transistor valt.ⓘ Spanning tussen poort en bron [V_gs]			+10% -10%

✖De transconductantieparameter is het product van de procestransconductantieparameter en de aspectverhouding van de transistor (W/L).ⓘ Transconductantieparameter van MOS-transistor [K_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantieparameter van MOS-transistor

Formule

`"K"_{"n"} = "i"_{"d"}/(("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"})`

Voorbeeld

`"2.951843mA/V²"="17.5mA"/(("3.775V"-"2V")*"3.34V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Karakteristieken van de transistorversterker Formules Pdf PDF Image

Transconductantieparameter van MOS-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De transconductantieparameter is het product van de procestransconductantieparameter en de aspectverhouding van de transistor (W/L).
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.
Spanning over oxide - (Gemeten in Volt) - De spanning over het oxide is te wijten aan de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is te wijten aan de ladingsdichtheid in het oxide.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron is de spanning die over de poort-bronaansluiting van de transistor valt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Afvoerstroom: 17.5 milliampère --> 0.0175 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Spanning over oxide: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen poort en bron: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)

Evalueren ... ...

K_n = 0.00295184279328667

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00295184279328667 Ampère per vierkante volt -->2.95184279328667 Milliampère per vierkante volt (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.95184279328667 ≈ 2.951843 Milliampère per vierkante volt <-- Transconductantieparameter

(Berekening voltooid in 00.005 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Karakteristieken van de transistorversterker » Transconductantieparameter van MOS-transistor

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 18 Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning

Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Gaan Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2

Ingangsspanning gegeven signaalspanning

Gaan Fundamentele componentspanning = (Eindige ingangsweerstand/(Eindige ingangsweerstand+Signaal weerstand))*Kleine signaalspanning

Transconductantieparameter van MOS-transistor

Gaan Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Afvoerstroom van transistor

Gaan Afvoerstroom = (Fundamentele componentspanning+Totale momentane afvoerspanning)/Afvoerweerstand

Totale momentane afvoerspanning

Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom

Ingangsspanning in transistor

Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Transconductantie van transistorversterkers

Gaan MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Uitgangsweerstand van Common Gate Circuit gegeven testspanning

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Testspanning/Teststroom

DC-stroomversterking van versterker

Gaan DC-stroomversterking = Collectorstroom/Basisstroom

Versterkeringang van transistorversterker

Gaan Versterker ingang = Ingangsweerstand*Invoerstroom

Ingangsweerstand van Common-Gate Circuit

Gaan Ingangsweerstand = Testspanning/Teststroom

Teststroom van transistorversterker

Gaan Teststroom = Testspanning/Ingangsweerstand

Transconductantieparameter van MOS-transistor Formule

Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)

Hoe vergroot u de transconductantie?

Een veelvoorkomend cijfer van verdienste voor FET's is de transconductantie, en deze kan worden verhoogd door de kanaalweerstand te verminderen door middel van zware doping. Maar deze strategie verslechtert de elektronenmobiliteit vanwege de verstrooiing van de drager door de geïoniseerde onzuiverheden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!