Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron Rekenmachine

✖De transconductantieparameter is het product van de procestransconductantieparameter en de aspectverhouding van de transistor (W/L).ⓘ Transconductantieparameter [K_n]			+10% -10%
✖De spanning over het oxide is te wijten aan de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is te wijten aan de ladingsdichtheid in het oxide.ⓘ Spanning over oxide [V_ox]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%
✖De spanning tussen poort en bron is de spanning die over de poort-bronaansluiting van de transistor valt.ⓘ Spanning tussen poort en bron [V_gs]			+10% -10%

✖Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.ⓘ Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron [i_d]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Formule

`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"}`

Voorbeeld

`"17.48907mA"="2.95mA/V²"*("3.775V"-"2V")*"3.34V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Karakteristieken van de transistorversterker Formules Pdf PDF Image

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.
Transconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De transconductantieparameter is het product van de procestransconductantieparameter en de aspectverhouding van de transistor (W/L).
Spanning over oxide - (Gemeten in Volt) - De spanning over het oxide is te wijten aan de lading op het oxide-halfgeleidergrensvlak en de derde term is te wijten aan de ladingsdichtheid in het oxide.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron is de spanning die over de poort-bronaansluiting van de transistor valt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantieparameter: 2.95 Milliampère per vierkante volt --> 0.00295 Ampère per vierkante volt (Bekijk de conversie hier)
Spanning over oxide: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen poort en bron: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Evalueren ... ...

i_d = 0.017489075

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.017489075 Ampère -->17.489075 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

17.489075 ≈ 17.48907 milliampère <-- Afvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Karakteristieken van de transistorversterker » Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Prahalad Singh

Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

< 18 Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning

Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Gaan Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2

Ingangsspanning gegeven signaalspanning

Gaan Fundamentele componentspanning = (Eindige ingangsweerstand/(Eindige ingangsweerstand+Signaal weerstand))*Kleine signaalspanning

Transconductantieparameter van MOS-transistor

Gaan Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Afvoerstroom van transistor

Gaan Afvoerstroom = (Fundamentele componentspanning+Totale momentane afvoerspanning)/Afvoerweerstand

Totale momentane afvoerspanning

Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom

Ingangsspanning in transistor

Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Transconductantie van transistorversterkers

Gaan MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Uitgangsweerstand van Common Gate Circuit gegeven testspanning

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Testspanning/Teststroom

DC-stroomversterking van versterker

Gaan DC-stroomversterking = Collectorstroom/Basisstroom

Versterkeringang van transistorversterker

Gaan Versterker ingang = Ingangsweerstand*Invoerstroom

Ingangsweerstand van Common-Gate Circuit

Gaan Ingangsweerstand = Testspanning/Teststroom

Teststroom van transistorversterker

Gaan Teststroom = Testspanning/Ingangsweerstand

< 18 CV-acties van gemeenschappelijke podiumversterkers Rekenmachines

Uitgangsspanning van gecontroleerde brontransistor

Gaan DC-component van poort-naar-bronspanning = (Spanningsversterking*Elektrische stroom-Transconductie van kortsluiting*Differentieel uitgangssignaal)*(1/Laatste weerstand+1/Weerstand van primaire wikkeling in secundaire)

Ingangsweerstand van Common-Base Circuit

Gaan Ingangsweerstand = (Zenderweerstand*(Eindige uitgangsweerstand+Belastingsweerstand))/(Eindige uitgangsweerstand+(Belastingsweerstand/(Collectorbasisstroomversterking+1)))

Uitgangsweerstand bij een andere afvoer van gecontroleerde brontransistor

Gaan Afvoerweerstand = Weerstand van secundaire wikkeling in primaire+2*Eindige weerstand+2*Eindige weerstand*MOSFET primaire transconductantie*Weerstand van secundaire wikkeling in primaire

Uitgangsweerstand van emitter-gedegenereerde CE-versterker:

Gaan Afvoerweerstand = Eindige uitgangsweerstand+(MOSFET primaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand)*(1/Zenderweerstand+1/Kleine signaalingangsweerstand)

Ingangsweerstand van gemeenschappelijke emitterversterker gegeven ingangsweerstand met klein signaal

Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/(Kleine signaalingangsweerstand+(Collectorbasisstroomversterking+1)*Zenderweerstand))^-1

Ingangsweerstand van Common-Emitter-versterker gegeven emitterweerstand

Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/((Totale weerstand+Zenderweerstand)*(Collectorbasisstroomversterking+1)))^-1

Uitgangsweerstand van CS-versterker met bronweerstand

Gaan Afvoerweerstand = Eindige uitgangsweerstand+Bron weerstand+(MOSFET primaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand*Bron weerstand)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Transconductantie in gemeenschappelijke bronversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Eenheidsversterkingsfrequentie*(Poort naar broncapaciteit+Capaciteit Poort naar afvoer)

Ingangsweerstand van gemeenschappelijke emitterversterker

Gaan Ingangsweerstand = (1/Basis weerstand+1/Basisweerstand 2+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1

Ingangsimpedantie van Common-Base-versterker

Gaan Ingangsimpedantie = (1/Zenderweerstand+1/Kleine signaalingangsweerstand)^(-1)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Fundamentele spanning in gemeenschappelijke emitterversterker

Gaan Fundamentele componentspanning = Ingangsweerstand*Basisstroom

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Belastingsspanning van CS-versterker

Gaan Laad spanning = Spanningsversterking*Ingangsspanning

Weerstand van zender in common-base-versterker

Gaan Zenderweerstand = Ingangsspanning/Zenderstroom

Emitterstroom van Common-Base-versterker

Gaan Zenderstroom = Ingangsspanning/Zenderweerstand

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron Formule

Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Wat is MOSFET en zijn toepassing?

MOSFET wordt gebruikt voor het schakelen of versterken van signalen. De mogelijkheid om de geleidbaarheid te veranderen met de hoeveelheid aangelegde spanning kan worden gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. MOSFET's komen nu zelfs vaker voor dan BJT's (bipolaire junctie-transistors) in digitale en analoge circuits.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!