Paramètre de transconductance du transistor MOS Calculatrice

✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.ⓘ Tension aux bornes de l'oxyde [V_ox]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.ⓘ Tension entre la porte et la source [V_gs]			+10% -10%

✖Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).ⓘ Paramètre de transconductance du transistor MOS [K_n]

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Formule

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Paramètre de transconductance du transistor MOS

Formule

`"K"_{"n"} = "i"_{"d"}/(("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"})`

Exemple

`"2.951843mA/V²"="17.5mA"/(("3.775V"-"2V")*"3.34V")`

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Paramètre de transconductance du transistor MOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Tension entre la porte et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de vidange: 17.5 Milliampère --> 0.0175 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension aux bornes de l'oxyde: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
Tension entre la porte et la source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)

Évaluer ... ...

K_n = 0.00295184279328667

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00295184279328667 Ampère par volt carré -->2.95184279328667 Milliampère par volt carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

2.95184279328667 ≈ 2.951843 Milliampère par volt carré <-- Paramètre de transconductance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Tension efficace globale de la transconductance MOSFET

Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension d'entrée donnée Tension du signal

Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal

Paramètre de transconductance du transistor MOS

Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Courant de drain du transistor

Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites

Tension de drain instantanée totale

Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Transconductance des amplificateurs à transistors

Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Gain de courant continu de l'amplificateur

Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test

Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai

Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor

Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée

Courant de test de l'amplificateur à transistor

Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée

Résistance d'entrée du circuit à porte commune

Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

Paramètre de transconductance du transistor MOS Formule

Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)

Comment augmentez-vous la transconductance?

La transconductance est un facteur de mérite courant pour les FET, et elle peut être augmentée en réduisant la résistance du canal grâce à un dopage important. Mais cette stratégie dégrade la mobilité des électrons en raison de la diffusion des porteurs par les impuretés ionisées.

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