Base-Emitter Junction Capaciteit Rekenmachine

✖Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.ⓘ Emitter-basis capaciteit [C_eb]

+10%

-10%

✖Basis-emitterovergangscapaciteit is de capaciteit van de overgang die voorwaarts is voorgespannen en wordt weergegeven door een diode.ⓘ Base-Emitter Junction Capaciteit [C]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Base-Emitter Junction Capaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit
C = 2*C_eb
Deze formule gebruikt 2 Variabelen

Variabelen gebruikt

Base-Emitter Junction Capaciteit - (Gemeten in Farad) - Basis-emitterovergangscapaciteit is de capaciteit van de overgang die voorwaarts is voorgespannen en wordt weergegeven door een diode.
Emitter-basis capaciteit - (Gemeten in Farad) - Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Emitter-basis capaciteit: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Evalueren ... ...

C = 3E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3E-06 Farad -->3 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

3 Microfarad <-- Base-Emitter Junction Capaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Base-Emitter Junction Capaciteit

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

LaTeX Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

LaTeX Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

LaTeX Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Base-Emitter Junction Capaciteit

LaTeX Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Bekijk meer >>

Base-Emitter Junction Capaciteit Formule

LaTeX Gaan

Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit
C = 2*C_eb

Wat is BJT en zijn typen?

Een bipolaire transistor (bipolaire junctie-transistor: BJT) bestaat uit drie halfgeleidergebieden die twee juncties vormen. Er zijn twee soorten structuren: NPN en PNP. Er zijn producten met NPN tot 800 V en PNP tot -600 V verkrijgbaar. Daarnaast zijn er ook ingebouwde biasweerstandstransistors (BRT's).

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!