Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Qn = 𝛕F*Ic
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Opgeslagen elektronenlading - (Gemeten in Coulomb) - Opgeslagen elektronenlading wordt meestal gedaan door een condensator, bestaande uit twee platen gescheiden door een dun isolatiemateriaal dat bekend staat als het diëlektricum.
Apparaat constant - (Gemeten in Seconde) - Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.
Collector Stroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctietransistor.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Apparaat constant: 2 Seconde --> 2 Seconde Geen conversie vereist
Collector Stroom: 5 milliampère --> 0.005 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Qn = 𝛕F*Ic --> 2*0.005
Evalueren ... ...
Qn = 0.01
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.01 Coulomb --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.01 Coulomb <-- Opgeslagen elektronenlading
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

10+ Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-Base Junction Capaciteit
​ Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt
Overgangsfrequentie van BJT
​ Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))
Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis
​ Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)
Unity-Gain-bandbreedte van BJT
​ Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)
Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT
​ Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)
Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager
​ Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base
Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT
​ Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Klein-signaalverspreidingscapaciteit
​ Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante
​ Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)
Base-Emitter Junction Capaciteit
​ Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT Formule

Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Qn = 𝛕F*Ic

Hoe sla je elektronen op?

Elektronen worden routinematig verzameld en opgeslagen in een elektronenopslagring. Het bestaat uit een reeks magnetische elementen, voornamelijk dipolen om de deeltjes in een ring te buigen en quadrupolen om de elektronen strak gefocust te houden.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!