Prąd kolektora tranzystora PNP Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Produkcja układów scalonych MOS

Wyzwalacz Schmitta

✖Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.ⓘ Opłata [q]			+10% -10%
✖Obszar złącza podstawy emitera to złącze PN utworzone pomiędzy silnie domieszkowanym materiałem typu P (emiter) i lekko domieszkowanym materiałem typu N (baza) tranzystora.ⓘ Obszar połączenia podstawy emitera [A]			+10% -10%
✖Stężenie równowagowe typu N jest równe gęstości atomów dawcy, ponieważ elektrony do przewodzenia pochodzą wyłącznie od atomu dawcy.ⓘ Stężenie równowagowe typu N [N_d]			+10% -10%
✖Stała dyfuzji dla PNP opisuje, jak łatwo te nośniki mniejszościowe dyfundują przez materiał półprzewodnikowy, gdy przyłożone jest pole elektryczne.ⓘ Stała dyfuzji dla PNP [D_p]			+10% -10%
✖Szerokość podstawy jest ważnym parametrem wpływającym na charakterystykę tranzystora, zwłaszcza na jego pracę i prędkość.ⓘ Szerokość podstawy [W_b]			+10% -10%

✖Prąd kolektora to prąd przepływający przez zacisk kolektora tranzystora i jest to prąd wzmacniany przez tranzystor.ⓘ Prąd kolektora tranzystora PNP [I_c]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd kolektora tranzystora PNP

Formuła

`"I"_{"c"} = ("q"*"A"*"N"_{"d"}*"D"_{"p"})/"W"_{"b"}`

Przykład

`"4.921875A"=("5mC"*"1.75cm²"*"45/cm³"*"100cm²/s")/"8cm"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Prąd kolektora tranzystora PNP Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b
Ta formuła używa 6 Zmienne

Używane zmienne

Prąd kolektora - (Mierzone w Amper) - Prąd kolektora to prąd przepływający przez zacisk kolektora tranzystora i jest to prąd wzmacniany przez tranzystor.
Opłata - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.
Obszar połączenia podstawy emitera - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Obszar złącza podstawy emitera to złącze PN utworzone pomiędzy silnie domieszkowanym materiałem typu P (emiter) i lekko domieszkowanym materiałem typu N (baza) tranzystora.
Stężenie równowagowe typu N - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie równowagowe typu N jest równe gęstości atomów dawcy, ponieważ elektrony do przewodzenia pochodzą wyłącznie od atomu dawcy.
Stała dyfuzji dla PNP - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Stała dyfuzji dla PNP opisuje, jak łatwo te nośniki mniejszościowe dyfundują przez materiał półprzewodnikowy, gdy przyłożone jest pole elektryczne.
Szerokość podstawy - (Mierzone w Metr) - Szerokość podstawy jest ważnym parametrem wpływającym na charakterystykę tranzystora, zwłaszcza na jego pracę i prędkość.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Opłata: 5 Millicoulomb --> 0.005 Kulomb (Sprawdź konwersję tutaj)
Obszar połączenia podstawy emitera: 1.75 Centymetr Kwadratowy --> 0.000175 Metr Kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie równowagowe typu N: 45 1 na centymetr sześcienny --> 45000000 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Stała dyfuzji dla PNP: 100 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 0.01 Metr kwadratowy na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość podstawy: 8 Centymetr --> 0.08 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b --> (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08

Ocenianie ... ...

I_c = 4.921875

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4.921875 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

4.921875 Amper <-- Prąd kolektora

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Prąd kolektora tranzystora PNP

Kredyty

Stworzone przez Rahula Guptę

Uniwersytet Chandigarh (CU), Mohali, Pendżab

Rahula Guptę utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!

< 19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego

Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność typu P

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Prąd kolektora tranzystora PNP

Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy

Prąd nasycenia w tranzystorze

Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość

Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść

Opór arkusza warstwy

Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)

Opór warstwy rozproszonej

Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Dziura gęstości prądu

Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Wydajność wtrysku emitera

Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych

Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe

Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania

Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)

Prąd płynący w diodzie Zenera

Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera

Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej

Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Prąd kolektora tranzystora PNP Formułę

Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!