Przewodność omowa zanieczyszczeń Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Produkcja układów scalonych MOS

Wyzwalacz Schmitta

✖Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.ⓘ Opłata [q]			+10% -10%
✖Domieszkowanie elektronów Mobilność krzemu charakteryzuje szybkość, z jaką elektron może przemieszczać się przez metal lub półprzewodnik, gdy jest przyciągany przez pole elektryczne.ⓘ Mobilność krzemu z domieszką elektronów [μ_n]			+10% -10%
✖Na stężenie elektronów wpływają różne czynniki, takie jak temperatura, zanieczyszczenia lub domieszki dodane do materiału półprzewodnikowego oraz zewnętrzne pola elektryczne lub magnetyczne.ⓘ Stężenie elektronów [n_e]			+10% -10%
✖Ruchliwość krzemu domieszkowana dziurami to zdolność dziury do przemieszczania się po metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.ⓘ Hole Doping Mobilność krzemu [μ_p]			+10% -10%
✖Koncentracja dziur oznacza większą liczbę dostępnych nośników ładunku w materiale, wpływając na jego przewodność i różne urządzenia półprzewodnikowe.ⓘ Zagęszczenie dziur [p]			+10% -10%

✖Przewodność omowa jest miarą zdolności materiału do przepuszczania przepływu prądu elektrycznego. Przewodność elektryczna różni się w zależności od materiału.ⓘ Przewodność omowa zanieczyszczeń [σ]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Formuła

`"σ" = "q"*("μ"_{"n"}*"n"_{"e"}+"μ"_{"p"}*"p")`

Przykład

`"0.10442mho/cm"="5mC"*("0.38cm²/V*s"*"50.6/cm³"+"2.4cm²/V*s"*"0.69/cm³")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Przewodność omowa zanieczyszczeń Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)
Ta formuła używa 6 Zmienne

Używane zmienne

Przewodność omowa - (Mierzone w Siemens/Metr) - Przewodność omowa jest miarą zdolności materiału do przepuszczania przepływu prądu elektrycznego. Przewodność elektryczna różni się w zależności od materiału.
Opłata - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.
Mobilność krzemu z domieszką elektronów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Domieszkowanie elektronów Mobilność krzemu charakteryzuje szybkość, z jaką elektron może przemieszczać się przez metal lub półprzewodnik, gdy jest przyciągany przez pole elektryczne.
Stężenie elektronów - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Na stężenie elektronów wpływają różne czynniki, takie jak temperatura, zanieczyszczenia lub domieszki dodane do materiału półprzewodnikowego oraz zewnętrzne pola elektryczne lub magnetyczne.
Hole Doping Mobilność krzemu - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość krzemu domieszkowana dziurami to zdolność dziury do przemieszczania się po metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.
Zagęszczenie dziur - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja dziur oznacza większą liczbę dostępnych nośników ładunku w materiale, wpływając na jego przewodność i różne urządzenia półprzewodnikowe.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Opłata: 5 Millicoulomb --> 0.005 Kulomb (Sprawdź konwersję tutaj)
Mobilność krzemu z domieszką elektronów: 0.38 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę --> 3.8E-05 Metr kwadratowy na wolt na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie elektronów: 50.6 1 na centymetr sześcienny --> 50600000 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Hole Doping Mobilność krzemu: 2.4 Centymetr kwadratowy na wolt-sekundę --> 0.00024 Metr kwadratowy na wolt na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Zagęszczenie dziur: 0.69 1 na centymetr sześcienny --> 690000 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)

Ocenianie ... ...

σ = 10.442

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

10.442 Siemens/Metr -->0.10442 Mho/Centymetr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.10442 Mho/Centymetr <-- Przewodność omowa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Przewodność omowa zanieczyszczeń

Kredyty

Stworzone przez Rahula Guptę

Uniwersytet Chandigarh (CU), Mohali, Pendżab

Rahula Guptę utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego

Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność typu P

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Prąd kolektora tranzystora PNP

Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy

Prąd nasycenia w tranzystorze

Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość

Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść

Opór arkusza warstwy

Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)

Opór warstwy rozproszonej

Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Dziura gęstości prądu

Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Wydajność wtrysku emitera

Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych

Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe

Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania

Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)

Prąd płynący w diodzie Zenera

Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera

Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej

Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Przewodność omowa zanieczyszczeń Formułę

Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!