Napięcie przebicia emitera kolektora Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Produkcja układów scalonych MOS

Wyzwalacz Schmitta

✖Napięcie przebicia bazy kolektora to maksymalne napięcie między zaciskami kolektora a bazą bipolarnego tranzystora złączowego, które nie powoduje przebicia tranzystora.ⓘ Napięcie przebicia podstawy kolektora [V_cb]			+10% -10%
✖Wzmocnienie prądowe BJT służy do opisu właściwości wzmacniających tranzystora. Wskazuje, jak bardzo prąd kolektora jest wzmacniany w stosunku do prądu bazy.ⓘ Obecny zysk BJT [i_g]			+10% -10%
✖Liczba pierwiastkowa reprezentuje stałą lub współczynnik związany z tranzystorem.ⓘ Numer główny [n]			+10% -10%

✖Napięcie przebicia emitera kolektora to napięcie między zaciskami kolektora i emitera bipolarnego tranzystora złączowego, które nie powoduje przebicia tranzystora.ⓘ Napięcie przebicia emitera kolektora [V_ce]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie przebicia emitera kolektora

Formuła

`"V"_{"ce"} = "V"_{"cb"}/("i"_{"g"})^(1/"n")`

Przykład

`"2.103602V"="3.52V"/("2.8V")^(1/"2")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Napięcie przebicia emitera kolektora Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie przebicia emitera kolektora - (Mierzone w Wolt) - Napięcie przebicia emitera kolektora to napięcie między zaciskami kolektora i emitera bipolarnego tranzystora złączowego, które nie powoduje przebicia tranzystora.
Napięcie przebicia podstawy kolektora - (Mierzone w Wolt) - Napięcie przebicia bazy kolektora to maksymalne napięcie między zaciskami kolektora a bazą bipolarnego tranzystora złączowego, które nie powoduje przebicia tranzystora.
Obecny zysk BJT - (Mierzone w Wolt) - Wzmocnienie prądowe BJT służy do opisu właściwości wzmacniających tranzystora. Wskazuje, jak bardzo prąd kolektora jest wzmacniany w stosunku do prądu bazy.
Numer główny - Liczba pierwiastkowa reprezentuje stałą lub współczynnik związany z tranzystorem.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie przebicia podstawy kolektora: 3.52 Wolt --> 3.52 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Obecny zysk BJT: 2.8 Wolt --> 2.8 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Numer główny: 2 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Ocenianie ... ...

V_ce = 2.10360235242853

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

2.10360235242853 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Wolt <-- Napięcie przebicia emitera kolektora

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Napięcie przebicia emitera kolektora

Kredyty

Stworzone przez Rahula Guptę

Uniwersytet Chandigarh (CU), Mohali, Pendżab

Rahula Guptę utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego

Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność typu P

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Prąd kolektora tranzystora PNP

Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy

Prąd nasycenia w tranzystorze

Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość

Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść

Opór arkusza warstwy

Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)

Opór warstwy rozproszonej

Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Dziura gęstości prądu

Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Wydajność wtrysku emitera

Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych

Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe

Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania

Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)

Prąd płynący w diodzie Zenera

Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera

Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej

Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Napięcie przebicia emitera kolektora Formułę

Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!