Corrente de Coletor do Transistor PNP Calculadora

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Fabricação de CI bipolar

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Gatilho Schmitt

✖Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.ⓘ Cobrar [q]			+10% -10%
✖A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.ⓘ Área de junção da base do emissor [A]			+10% -10%
✖A concentração de equilíbrio do tipo N é igual à densidade dos átomos doadores porque os elétrons para condução são dados exclusivamente pelo átomo doador.ⓘ Concentração de equilíbrio do tipo N [N_d]			+10% -10%
✖Diffusion Constant For PNP descreve a facilidade com que esses portadores minoritários se difundem através do material semicondutor quando um campo elétrico é aplicado.ⓘ Constante de difusão para PNP [D_p]			+10% -10%
✖A largura da base é um parâmetro importante que afeta as características do transistor, principalmente em termos de operação e velocidade.ⓘ Largura básica [W_b]			+10% -10%

✖Corrente de coletor é a corrente que flui através do terminal coletor do transistor e é a corrente que está sendo amplificada pelo transistor.ⓘ Corrente de Coletor do Transistor PNP [I_c]

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Fórmula

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Corrente de Coletor do Transistor PNP

Fórmula

`"I"_{"c"} = ("q"*"A"*"N"_{"d"}*"D"_{"p"})/"W"_{"b"}`

Exemplo

`"4.921875A"=("5mC"*"1.75cm²"*"45/cm³"*"100cm²/s")/"8cm"`

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Corrente de Coletor do Transistor PNP Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b
Esta fórmula usa 6 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente do coletor - (Medido em Ampere) - Corrente de coletor é a corrente que flui através do terminal coletor do transistor e é a corrente que está sendo amplificada pelo transistor.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Área de junção da base do emissor - (Medido em Metro quadrado) - A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.
Concentração de equilíbrio do tipo N - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de equilíbrio do tipo N é igual à densidade dos átomos doadores porque os elétrons para condução são dados exclusivamente pelo átomo doador.
Constante de difusão para PNP - (Medido em Metro quadrado por segundo) - Diffusion Constant For PNP descreve a facilidade com que esses portadores minoritários se difundem através do material semicondutor quando um campo elétrico é aplicado.
Largura básica - (Medido em Metro) - A largura da base é um parâmetro importante que afeta as características do transistor, principalmente em termos de operação e velocidade.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Cobrar: 5 Milicoulomb --> 0.005 Coulomb (Verifique a conversão aqui)
Área de junção da base do emissor: 1.75 Praça centímetro --> 0.000175 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Concentração de equilíbrio do tipo N: 45 1 por centímetro cúbico --> 45000000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Constante de difusão para PNP: 100 Centímetro quadrado por segundo --> 0.01 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão aqui)
Largura básica: 8 Centímetro --> 0.08 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b --> (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08

Avaliando ... ...

I_c = 4.921875

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

4.921875 Ampere --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

4.921875 Ampere <-- Corrente do coletor

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

< 19 Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Resistência do Paralelepípedo Retangular

Vai Resistência = ((Resistividade*Espessura da Camada)/(Largura da camada difusa*Comprimento da camada difusa))*(ln(Largura do retângulo inferior/Comprimento do retângulo inferior)/(Largura do retângulo inferior-Comprimento do retângulo inferior))

Átomos de Impureza por Unidade de Área

Vai Impureza total = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica))

Condutividade do Tipo N

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade do tipo P

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P)

Condutividade ôhmica da impureza

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Vai Capacitância da Fonte da Porta = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição)

Corrente de Coletor do Transistor PNP

Vai Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica

Corrente de saturação no transistor

Vai Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energia de carga capacitiva dada a tensão de alimentação

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Número total de comutação de saídas

Resistência da Folha da Camada

Vai Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)

Resistência da Camada Difusa

Vai Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))

Buraco de densidade atual

Vai Densidade atual do furo = Cobrar*Constante de difusão para PNP*(Concentração de Equilíbrio do Buraco/Largura básica)

Impureza com Concentração Intrínseca

Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Eficiência de injeção de emissor

Vai Eficiência de injeção de emissor = Corrente do Emissor/(Corrente do emissor devido aos elétrons+Corrente do Emissor devido a Buracos)

Tensão de ruptura do emissor coletor

Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Corrente fluindo no diodo Zener

Vai Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener

Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem

Vai Eficiência de injeção de emissor = Doping no lado N/(Doping no lado N+Doping no lado P)

Fator de conversão de tensão em frequência em CIs

Vai Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada

Fator de transporte base dada a largura base

Vai Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)

Corrente de Coletor do Transistor PNP Fórmula

Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica
I_c = (q*A*N_d*D_p)/W_b

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