Leitungsbandenergie Taschenrechner

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✖Energielücke In der Festkörperphysik ist eine Energielücke ein Energiebereich in einem Festkörper, in dem keine Elektronenzustände existieren.ⓘ Energielücke [E_g]			+10% -10%
✖Die Valenzbandenergie ist definiert als das höchste Energieniveau im Valenzband.ⓘ Valenzbandenergie [E_v]			+10% -10%

✖Leitungsbandenergie ist das Energieband in einem Material, in dem sich die Elektronen frei bewegen und an der elektrischen Leitung teilnehmen können.ⓘ Leitungsbandenergie [E_c]

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Formel

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Leitungsbandenergie

Formel

`"E"_{"c"} = "E"_{"g"}+"E"_{"v"}`

Beispiel

`"17.5eV"="0.198eV"+"17.302eV"`

Taschenrechner

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Leitungsbandenergie Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie
E_c = E_g+E_v
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Leitungsbandenergie - (Gemessen in Joule) - Leitungsbandenergie ist das Energieband in einem Material, in dem sich die Elektronen frei bewegen und an der elektrischen Leitung teilnehmen können.
Energielücke - (Gemessen in Joule) - Energielücke In der Festkörperphysik ist eine Energielücke ein Energiebereich in einem Festkörper, in dem keine Elektronenzustände existieren.
Valenzbandenergie - (Gemessen in Joule) - Die Valenzbandenergie ist definiert als das höchste Energieniveau im Valenzband.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Energielücke: 0.198 Elektronen Volt --> 3.17231111340001E-20 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Valenzbandenergie: 17.302 Elektronen Volt --> 2.77208721636601E-18 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

E_c = E_g+E_v --> 3.17231111340001E-20+2.77208721636601E-18

Auswerten ... ...

E_c = 2.80381032750001E-18

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.80381032750001E-18 Joule -->17.5 Elektronen Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

17.5 Elektronen Volt <-- Leitungsbandenergie

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Energieband Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Energie des Elektrons bei gegebener Coulomb-Konstante

Gehen Energie des Elektrons = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Steady-State-Elektronenkonzentration

Gehen Steady-State-Carrier-Konzentration = Elektronenkonzentration im Leitungsband+Überschüssige Trägerkonzentration

Flüssigkeitskonzentration

Gehen Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verteilungskoeffizient

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Rekombinationslebensdauer

Gehen Rekombinationslebensdauer = (Verhältnismäßigkeit für Rekombination*Lochkonzentration im Volantband)^-1

Nettoänderungsrate im Leitungsband

Gehen Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Konzentration im Leitungsband

Gehen Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion

Effektive Staatsdichte

Gehen Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion

Wärmeerzeugungsrate

Gehen Thermische Erzeugung = Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Konzentration von Löchern im Valenzband

Gehen Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Optische Erzeugungsrate

Gehen Optische Erzeugungsrate = Überschüssige Trägerkonzentration/Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Valenzbandenergie

Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke

Energielücke

Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

< 15 Halbleiterträger Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons

Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)

Elektronenflussdichte

Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration

Quantenzustand

Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Elektronenvervielfachung

Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch

Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Elektronenstromdichte

Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte

Lochstromdichte

Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Leitungsbandenergie Formel

Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie
E_c = E_g+E_v

Was ist Bandkante in Halbleitern?

In der Festkörperphysik von Halbleitern ist ein Banddiagramm ein Diagramm, das verschiedene wichtige Elektronenenergieniveaus (Fermi-Niveau und benachbarte Energiebandkanten) als Funktion einer räumlichen Dimension darstellt, die oft als x bezeichnet wird

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