Długość rozproszenia otworu Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka nośnika ładunku

Charakterystyka diody

Charakterystyka półprzewodników

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Stała dyfuzji otworów odnosi się do właściwości materiału, która opisuje szybkość dyfuzji otworów w materiale w odpowiedzi na gradient stężenia.ⓘ Stała dyfuzji otworów [D_p]			+10% -10%
✖Czas życia nośnika dziury odnosi się do średniego czasu, przez który dziura nośnika mniejszościowego istnieje w materiale przed rekombinacją z elektronem, a tym samym zniknięciem.ⓘ Żywotność nośnika otworów [τ_p]			+10% -10%

✖Długość dyfuzji dziur odnosi się do średniej odległości, na jaką odpowiedni ładunek przemieszcza się w półprzewodniku.ⓘ Długość rozproszenia otworu [L_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Długość rozproszenia otworu

Formuła

`"L"_{"p"} = sqrt("D"_{"p"}*"τ"_{"p"})`

Przykład

`"0.362214m"=sqrt("37485.39cm²/s"*"0.035s")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka nośnika ładunku Formuły PDF PDF Image

Długość rozproszenia otworu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Długość dyfuzji otworów = sqrt(Stała dyfuzji otworów*Żywotność nośnika otworów)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 3 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Długość dyfuzji otworów - (Mierzone w Metr) - Długość dyfuzji dziur odnosi się do średniej odległości, na jaką odpowiedni ładunek przemieszcza się w półprzewodniku.
Stała dyfuzji otworów - (Mierzone w Metr kwadratowy na sekundę) - Stała dyfuzji otworów odnosi się do właściwości materiału, która opisuje szybkość dyfuzji otworów w materiale w odpowiedzi na gradient stężenia.
Żywotność nośnika otworów - (Mierzone w Drugi) - Czas życia nośnika dziury odnosi się do średniego czasu, przez który dziura nośnika mniejszościowego istnieje w materiale przed rekombinacją z elektronem, a tym samym zniknięciem.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Stała dyfuzji otworów: 37485.39 Centymetr kwadratowy na sekundę --> 3.748539 Metr kwadratowy na sekundę (Sprawdź konwersję tutaj)
Żywotność nośnika otworów: 0.035 Drugi --> 0.035 Drugi Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

L_p = sqrt(D_p*τ_p) --> sqrt(3.748539*0.035)

Ocenianie ... ...

L_p = 0.362213838774832

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.362213838774832 Metr --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.362213838774832 ≈ 0.362214 Metr <-- Długość dyfuzji otworów

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka nośnika ładunku » Długość rozproszenia otworu

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< 16 Charakterystyka nośnika ładunku Kalkulatory

Koncentracja wewnętrzna

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Gęstość efektywna w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość w paśmie przewodnictwa)*e^((-Zależność pasma energetycznego od temperatury)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Elektrostatyczna czułość odchylenia CRT

Iść Czułość odchylenia elektrostatycznego = (Odległość między płytami odchylającymi*Ekran i odległość płyt odchylających)/(2*Odchylenie wiązki*Prędkość elektronów)

Gęstość prądu spowodowana elektronami

Iść Gęstość prądu elektronowego = [Charge-e]*Koncentracja elektronów*Ruchliwość elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Gęstość prądu spowodowana otworami

Iść Gęstość prądu otworów = [Charge-e]*Koncentracja dziur*Ruchliwość otworów*Natężenie pola elektrycznego

Stała dyfuzji elektronów

Iść Stała dyfuzji elektronów = Ruchliwość elektronów*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Siła działająca na element prądu w polu magnetycznym

Iść Siła = Bieżący element*Gęstość strumienia magnetycznego*sin(Kąt między płaszczyznami)

Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Koncentracja większości nośników*Koncentracja przewoźników mniejszościowych)

Stała dyfuzji otworów

Iść Stała dyfuzji otworów = Ruchliwość otworów*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Prędkość elektronu

Iść Prędkość związana z napięciem = sqrt((2*[Charge-e]*Napięcie)/[Mass-e])

Okres czasu elektronu

Iść Okres kołowej ścieżki cząstki = (2*3.14*[Mass-e])/(Siła pola magnetycznego*[Charge-e])

Długość rozproszenia otworu

Iść Długość dyfuzji otworów = sqrt(Stała dyfuzji otworów*Żywotność nośnika otworów)

Przewodnictwo w metalach

Iść Przewodność = Koncentracja elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów

Prędkość elektronu w polach siłowych

Iść Prędkość elektronu w polach siłowych = Natężenie pola elektrycznego/Siła pola magnetycznego

Napięcie termiczne

Iść Napięcie termiczne = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Napięcie termiczne przy użyciu równania Einsteina

Iść Napięcie termiczne = Stała dyfuzji elektronów/Ruchliwość elektronów

Gęstość prądu konwekcyjnego

Iść Gęstość prądu konwekcyjnego = Gęstość ładunku*Prędkość ładowania

Długość rozproszenia otworu Formułę

Długość dyfuzji otworów = sqrt(Stała dyfuzji otworów*Żywotność nośnika otworów)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)

Jakie znaczenie ma długość dyfuzji?

Długość dyfuzji nośnika jest fundamentalną koncepcją w fizyce półprzewodników i odnosi się do średniej odległości, na jaką nośnik nadmiaru ładunku (elektron lub dziura) może przebyć przez materiał półprzewodnikowy, zanim ponownie połączy się z przeciwnym nośnikiem ładunku lub zostanie utracony w inny sposób. Jest to miara tego, jak daleko przewoźnicy mogą się rozproszyć od punktu ich generacji.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!