Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS Kalkulator

✖Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału odnosi się do zdolności elektronów do poruszania się lub przewodzenia w warstwie powierzchniowej materiału pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału [μ_n]			+10% -10%
✖Pole elektryczne na całej długości kanału to siła na jednostkę ładunku, której doświadcza cząstka poruszająca się przez kanał.ⓘ Pole elektryczne na całej długości kanału [E_L]			+10% -10%

✖Prędkość dryfu elektronów wynika z pola elektrycznego, które z kolei powoduje, że elektrony kanałowe dryfują w kierunku odpływu z pewną prędkością.ⓘ Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS [v_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Formuła

`"v"_{"d"} = "μ"_{"n"}*"E"_{"L"}`

Przykład

`"23.32m/s"="2.2m²/V*s"*"10.6V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału
v_d = μ_n*E_L
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Prędkość dryfu elektronów - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość dryfu elektronów wynika z pola elektrycznego, które z kolei powoduje, że elektrony kanałowe dryfują w kierunku odpływu z pewną prędkością.
Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału odnosi się do zdolności elektronów do poruszania się lub przewodzenia w warstwie powierzchniowej materiału pod wpływem pola elektrycznego.
Pole elektryczne na całej długości kanału - (Mierzone w Wolt) - Pole elektryczne na całej długości kanału to siła na jednostkę ładunku, której doświadcza cząstka poruszająca się przez kanał.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału: 2.2 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 2.2 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pole elektryczne na całej długości kanału: 10.6 Wolt --> 10.6 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Ocenianie ... ...

v_d = 23.32

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

23.32 Metr na sekundę --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

23.32 Metr na sekundę <-- Prędkość dryfu elektronów

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału N » Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Efekt ciała w NMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*Napięcie źródła drenażu*(Napięcie przesterowania w NMOS-1/2*Napięcie źródła drenażu)

NMOS jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))

Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Iść Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa

Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie przesterowania w NMOS)^2

Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc dostarczona w NMOS

Iść Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)

Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji

Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS

Iść Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Iść Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału

Pojemność tlenkowa NMOS

Iść Pojemność tlenkowa = (3.45*10^(-11))/Grubość tlenku

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS Formułę

Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału
v_d = μ_n*E_L

Wyjaśnij działanie tranzystora NMOS.

Tranzystor NMOS z napięciem na źródle gazu> napięcie progowe i z niewielkim napięciem między drenem a źródłem. Urządzenie działa jako rezystancja, której wartość jest określana przez napięcie na źródle gazu. W szczególności przewodnictwo kanału jest proporcjonalne do napięcia na źródle gazu - napięcie progowe, a zatem Id jest proporcjonalne do (napięcie na źródle gazu - napięcie progowe) między drenem a źródłem

Jaka jest ruchliwość elektronu w kanale?

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!