Prąd drenu tranzystora Kalkulator

✖Napięcie składowej podstawowej jest pierwszą harmoniczną napięcia w analizie harmonicznej fali prostokątnej napięcia w obwodzie opartym na falowniku.ⓘ Podstawowe napięcie składowe [V_fc]			+10% -10%
✖Całkowite chwilowe napięcie drenu to napięcie, które spada na zacisk źródłowo-bramkowy tranzystora.ⓘ Całkowite chwilowe napięcie drenu [V_d]			+10% -10%
✖Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.ⓘ Odporność na drenaż [R_d]			+10% -10%

✖Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.ⓘ Prąd drenu tranzystora [i_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd drenu tranzystora

Formuła

`"i"_{"d"} = ("V"_{"fc"}+"V"_{"d"})/"R"_{"d"}`

Przykład

`"17.45556mA"=("5V"+"1.284V")/"0.36kΩ"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Prąd drenu tranzystora Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż
i_d = (V_fc+V_d)/R_d
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.
Podstawowe napięcie składowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie składowej podstawowej jest pierwszą harmoniczną napięcia w analizie harmonicznej fali prostokątnej napięcia w obwodzie opartym na falowniku.
Całkowite chwilowe napięcie drenu - (Mierzone w Wolt) - Całkowite chwilowe napięcie drenu to napięcie, które spada na zacisk źródłowo-bramkowy tranzystora.
Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Podstawowe napięcie składowe: 5 Wolt --> 5 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Całkowite chwilowe napięcie drenu: 1.284 Wolt --> 1.284 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Odporność na drenaż: 0.36 Kilohm --> 360 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_d = (V_fc+V_d)/R_d --> (5+1.284)/360

Ocenianie ... ...

i_d = 0.0174555555555556

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0174555555555556 Amper -->17.4555555555556 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

17.4555555555556 ≈ 17.45556 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Prąd drenu tranzystora

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 18 Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Całkowite efektywne napięcie transkonduktancji MOSFET

Iść Efektywne napięcie = sqrt(2*Prąd drenu nasycenia/(Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)))

Napięcie wejściowe przy danym napięciu sygnału

Iść Podstawowe napięcie składowe = (Skończona rezystancja wejściowa/(Skończona rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*Małe napięcie sygnału

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Parametr transkonduktancji tranzystora MOS

Iść Parametr transkonduktancji = Prąd spustowy/((Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Prąd drenu tranzystora

Iść Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż

Całkowite chwilowe napięcie drenu

Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego

Iść Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy

Wzmocnienie prądu stałego wzmacniacza

Iść Wzmocnienie prądu stałego = Prąd kolektora/Prąd bazowy

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bramką

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Prąd testowy wzmacniacza tranzystorowego

Iść Prąd testowy = Napięcie testowe/Rezystancja wejściowa

Prąd drenu tranzystora Formułę

Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż
i_d = (V_fc+V_d)/R_d

Jaki jest pożytek z obwodu wspólnej bramki?

Ta konfiguracja obwodu jest zwykle używana jako wzmacniacz napięcia. Źródło FET w tej konfiguracji działa jako wejście, a dren jako wyjście.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!