Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem Kalkulator

✖Parametr transkonduktancji jest iloczynem parametru transkonduktancji procesu i współczynnika kształtu tranzystora (W/L).ⓘ Parametr transkonduktancji [K_n]			+10% -10%
✖Napięcie na tlenku wynika z ładunku na granicy faz tlenek-półprzewodnik, a trzeci człon wynika z gęstości ładunku w tlenku.ⓘ Napięcie na tlenku [V_ox]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_t]			+10% -10%
✖Napięcie między bramką a źródłem to napięcie, które spada na zacisk bramka-źródło tranzystora.ⓘ Napięcie między bramką a źródłem [V_gs]			+10% -10%

✖Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.ⓘ Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem [i_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Formuła

`"i"_{"d"} = "K"_{"n"}*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"})*"V"_{"gs"}`

Przykład

`"17.48907mA"="2.95mA/V²"*("3.775V"-"2V")*"3.34V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu poniżej napięcia progowego definiuje się jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo w zależności od napięcia bramki-źródła.
Parametr transkonduktancji - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Parametr transkonduktancji jest iloczynem parametru transkonduktancji procesu i współczynnika kształtu tranzystora (W/L).
Napięcie na tlenku - (Mierzone w Wolt) - Napięcie na tlenku wynika z ładunku na granicy faz tlenek-półprzewodnik, a trzeci człon wynika z gęstości ładunku w tlenku.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.
Napięcie między bramką a źródłem - (Mierzone w Wolt) - Napięcie między bramką a źródłem to napięcie, które spada na zacisk bramka-źródło tranzystora.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji: 2.95 Miliamper na wolt kwadratowy --> 0.00295 Amper na wolt kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie na tlenku: 3.775 Wolt --> 3.775 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2 Wolt --> 2 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie między bramką a źródłem: 3.34 Wolt --> 3.34 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Ocenianie ... ...

i_d = 0.017489075

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.017489075 Amper -->17.489075 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

17.489075 ≈ 17.48907 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

< 18 Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Całkowite efektywne napięcie transkonduktancji MOSFET

Iść Efektywne napięcie = sqrt(2*Prąd drenu nasycenia/(Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)))

Napięcie wejściowe przy danym napięciu sygnału

Iść Podstawowe napięcie składowe = (Skończona rezystancja wejściowa/(Skończona rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*Małe napięcie sygnału

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Parametr transkonduktancji tranzystora MOS

Iść Parametr transkonduktancji = Prąd spustowy/((Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Prąd drenu tranzystora

Iść Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż

Całkowite chwilowe napięcie drenu

Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego

Iść Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy

Wzmocnienie prądu stałego wzmacniacza

Iść Wzmocnienie prądu stałego = Prąd kolektora/Prąd bazowy

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bramką

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Prąd testowy wzmacniacza tranzystorowego

Iść Prąd testowy = Napięcie testowe/Rezystancja wejściowa

< 18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem Formułę

Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Co to jest MOSFET i jego zastosowanie?

MOSFET służy do przełączania lub wzmacniania sygnałów. Zdolność do zmiany przewodnictwa wraz z ilością przyłożonego napięcia może służyć do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Tranzystory MOSFET są teraz jeszcze bardziej powszechne niż BJT (bipolarne tranzystory złączowe) w obwodach cyfrowych i analogowych.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!