Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym Kalkulator

✖Napięcie testowe polega na umieszczeniu bardzo wysokiego napięcia na barierze izolacyjnej urządzenia na jedną minutę.ⓘ Napięcie testowe [V_x]			+10% -10%
✖Prąd testowy to przepływ nośników ładunku elektrycznego, zwykle elektronów lub atomów z niedoborem elektronów.ⓘ Prąd testowy [i_x]			+10% -10%

✖Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.ⓘ Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym [R_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym

Formuła

`"R"_{"out"} = "V"_{"x"}/"i"_{"x"}`

Przykład

`"0.303371kΩ"="27V"/"89mA"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Formuły PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy
R_out = V_x/i_x
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Skończona rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Skończona rezystancja wyjściowa jest miarą tego, jak bardzo impedancja wyjściowa tranzystora zmienia się wraz ze zmianami napięcia wyjściowego.
Napięcie testowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie testowe polega na umieszczeniu bardzo wysokiego napięcia na barierze izolacyjnej urządzenia na jedną minutę.
Prąd testowy - (Mierzone w Amper) - Prąd testowy to przepływ nośników ładunku elektrycznego, zwykle elektronów lub atomów z niedoborem elektronów.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie testowe: 27 Wolt --> 27 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd testowy: 89 Miliamper --> 0.089 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_out = V_x/i_x --> 27/0.089

Ocenianie ... ...

R_out = 303.370786516854

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

303.370786516854 Om -->0.303370786516854 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.303370786516854 ≈ 0.303371 Kilohm <-- Skończona rezystancja wyjściowa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego » Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 18 Charakterystyka wzmacniacza tranzystorowego Kalkulatory

Prąd płynący przez kanał indukowany w tranzystorze przy danym napięciu tlenkowym

Iść Prąd wyjściowy = (Mobilność elektronu*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia))*Napięcie nasycenia pomiędzy drenem a źródłem

Całkowite efektywne napięcie transkonduktancji MOSFET

Iść Efektywne napięcie = sqrt(2*Prąd drenu nasycenia/(Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)))

Napięcie wejściowe przy danym napięciu sygnału

Iść Podstawowe napięcie składowe = (Skończona rezystancja wejściowa/(Skończona rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*Małe napięcie sygnału

Prąd wchodzący do zacisku spustowego tranzystora MOSFET przy nasyceniu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesu*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Efektywne napięcie)^2

Parametr transkonduktancji tranzystora MOS

Iść Parametr transkonduktancji = Prąd spustowy/((Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Prąd drenu tranzystora

Iść Prąd spustowy = (Podstawowe napięcie składowe+Całkowite chwilowe napięcie drenu)/Odporność na drenaż

Całkowite chwilowe napięcie drenu

Iść Całkowite chwilowe napięcie drenu = Podstawowe napięcie składowe-Odporność na drenaż*Prąd spustowy

Napięcie wejściowe w tranzystorze

Iść Podstawowe napięcie składowe = Odporność na drenaż*Prąd spustowy-Całkowite chwilowe napięcie drenu

Transkonduktancja wzmacniaczy tranzystorowych

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = (2*Prąd spustowy)/(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym

Iść Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Wzmacniacz Wejście wzmacniacza tranzystorowego

Iść Wejście wzmacniacza = Rezystancja wejściowa*Prąd wejściowy

Wzmocnienie prądu stałego wzmacniacza

Iść Wzmocnienie prądu stałego = Prąd kolektora/Prąd bazowy

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bramką

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy

Prąd testowy wzmacniacza tranzystorowego

Iść Prąd testowy = Napięcie testowe/Rezystancja wejściowa

Rezystancja wyjściowa obwodu wspólnej bramki przy danym napięciu testowym Formułę

Skończona rezystancja wyjściowa = Napięcie testowe/Prąd testowy
R_out = V_x/i_x

Jaki jest pożytek z obwodu wspólnej bramki?

Konfiguracja obwodu ze wspólną bramką zwykle używana jako wzmacniacz napięcia. Źródło FET w tej konfiguracji działa jako wejście, a dren jako wyjście.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!