Kalkulator A do Z

Zmiana napięcia na Bitline Kalkulator

Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
✖Napięcie dodatnie definiuje się jako napięcie obliczone, gdy obwód jest podłączony do źródła zasilania. Zwykle nazywa się to Vdd lub zasilaniem obwodu.ⓘ Napięcie dodatnie [Vdd]
+10%
-10%
✖Pojemność ogniwa to pojemność pojedynczego ogniwa.ⓘ Pojemność ogniwa [Ccell]
+10%
-10%
✖Pojemność bitowa to pojemność jednego bitu w cmos vlsi.ⓘ Pojemność bitowa [Cbit]
+10%
-10%
✖Swing napięcia na Bitline jest definiowany jako pełnoobrotowa lokalna architektura SRAM typu bitline, oparta na technologii FinFET 22 nm do pracy przy niskim napięciu.ⓘ Zmiana napięcia na Bitline [ΔV]
⎘ Kopiuj
👎
Formuła
✖

Zmiana napięcia na Bitline

Formuła
`"ΔV" = ("V"_{"dd"}/2)*"C"_{"cell"}/("C"_{"cell"}+"C"_{"bit"})`

Przykład
`"0.420163V"=("2.58V"/2)*"5.98pF"/("5.98pF"+"12.38pF")`

Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍

Zmiana napięcia na Bitline Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Wahania napięcia na Bitline = (Napięcie dodatnie/2)*Pojemność ogniwa/(Pojemność ogniwa+Pojemność bitowa)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)
Ta formuła używa 4 Zmienne
Używane zmienne
Wahania napięcia na Bitline - (Mierzone w Wolt) - Swing napięcia na Bitline jest definiowany jako pełnoobrotowa lokalna architektura SRAM typu bitline, oparta na technologii FinFET 22 nm do pracy przy niskim napięciu.
Napięcie dodatnie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie dodatnie definiuje się jako napięcie obliczone, gdy obwód jest podłączony do źródła zasilania. Zwykle nazywa się to Vdd lub zasilaniem obwodu.
Pojemność ogniwa - (Mierzone w Farad) - Pojemność ogniwa to pojemność pojedynczego ogniwa.
Pojemność bitowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność bitowa to pojemność jednego bitu w cmos vlsi.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie dodatnie: 2.58 Wolt --> 2.58 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Pojemność ogniwa: 5.98 Picofarad --> 5.98E-12 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bitowa: 12.38 Picofarad --> 1.238E-11 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit) --> (2.58/2)*5.98E-12/(5.98E-12+1.238E-11)
Ocenianie ... ...
ΔV = 0.42016339869281
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.42016339869281 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.42016339869281 ≈ 0.420163 Wolt <-- Wahania napięcia na Bitline
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj -
Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Podsystem ścieżki danych tablicowych » Zmiana napięcia na Bitline

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

19 Podsystem ścieżki danych tablicowych Kalkulatory

Opóźnienie multipleksera
Iść Opóźnienie multipleksera = (Opóźnienie dodawania pomijania przeniesienia-(Opóźnienie propagacji+(2*(Wejście N ORAZ bramka-1)*Opóźnienie bramki AND-OR)-Opóźnienie XOR))/(Wejście K ORAZ bramka-1)
Opóźnienie sumatora Carry-Skip
Iść Opóźnienie dodawania pomijania przeniesienia = Opóźnienie propagacji+2*(Wejście N ORAZ bramka-1)*Opóźnienie bramki AND-OR+(Wejście K ORAZ bramka-1)*Opóźnienie multipleksera+Opóźnienie XOR
Opóźnienie dodatku Carry-Looker
Iść Opóźnienie dodatku Carry-Looker = Opóźnienie propagacji+Opóźnienie propagacji grupy+((Wejście N ORAZ bramka-1)+(Wejście K ORAZ bramka-1))*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR
Opóźnienie sumatora Carry-Increamentor
Iść Opóźnienie dodawania przyrostu przeniesienia = Opóźnienie propagacji+Opóźnienie propagacji grupy+(Wejście K ORAZ bramka-1)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR
Krytyczne opóźnienie w bramkach
Iść Krytyczne opóźnienie w bramkach = Opóźnienie propagacji+(Wejście N ORAZ bramka+(Wejście K ORAZ bramka-2))*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie multipleksera
Opóźnienie propagacji grupy
Iść Opóźnienie propagacji = Opóźnienie dodawania drzewa-(log2(Częstotliwość bezwzględna)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR)
Tree Adder Delay
Iść Opóźnienie dodawania drzewa = Opóźnienie propagacji+log2(Częstotliwość bezwzględna)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR
Pojemność komórki
Iść Pojemność ogniwa = (Pojemność bitowa*2*Wahania napięcia na Bitline)/(Napięcie dodatnie-(Wahania napięcia na Bitline*2))
Opóźnienie „XOR”.
Iść Opóźnienie XOR = Czas tętnienia-(Opóźnienie propagacji+(Bramy na ścieżce krytycznej-1)*Opóźnienie bramki AND-OR)
Opóźnienie ścieżki krytycznej Carry-Ripple Adder
Iść Czas tętnienia = Opóźnienie propagacji+(Bramy na ścieżce krytycznej-1)*Opóźnienie bramki AND-OR+Opóźnienie XOR
Pojemność bitowa
Iść Pojemność bitowa = ((Napięcie dodatnie*Pojemność ogniwa)/(2*Wahania napięcia na Bitline))-Pojemność ogniwa
Zmiana napięcia na Bitline
Iść Wahania napięcia na Bitline = (Napięcie dodatnie/2)*Pojemność ogniwa/(Pojemność ogniwa+Pojemność bitowa)
Pojemność uziemienia
Iść Pojemność uziemienia = ((Napięcie agresora*Sąsiadująca pojemność)/Napięcie ofiary)-Sąsiadująca pojemność
Obszar pamięci zawierający N bitów
Iść Obszar komórki pamięci = (Obszar jednobitowej komórki pamięci*Częstotliwość bezwzględna)/Wydajność macierzy
Obszar komórki pamięci
Iść Obszar jednobitowej komórki pamięci = (Wydajność macierzy*Obszar komórki pamięci)/Częstotliwość bezwzględna
Wydajność macierzy
Iść Wydajność macierzy = (Obszar jednobitowej komórki pamięci*Częstotliwość bezwzględna)/Obszar komórki pamięci
Bramka „I” z wejściem N
Iść Wejście N ORAZ bramka = N-bitowy dodatek pomijający przeniesienie/Wejście K ORAZ bramka
Dodatek N-Bit Carry-Skip
Iść N-bitowy dodatek pomijający przeniesienie = Wejście N ORAZ bramka*Wejście K ORAZ bramka
Bramka „I” wejścia K
Iść Wejście K ORAZ bramka = N-bitowy dodatek pomijający przeniesienie/Wejście N ORAZ bramka

Zmiana napięcia na Bitline Formułę

Wahania napięcia na Bitline = (Napięcie dodatnie/2)*Pojemność ogniwa/(Pojemność ogniwa+Pojemność bitowa)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)

Co to są dynamiczne pamięci RAM (DRAM)?

Dynamiczne pamięci RAM (DRAM) przechowują swoją zawartość jako ładunek na kondensatorze, a nie w pętli sprzężenia zwrotnego. Komercyjne pamięci DRAM są budowane w wyspecjalizowanych procesach zoptymalizowanych pod kątem gęstych struktur kondensatorów. Oferują o współczynnik 10-20 większą gęstość (bity/cm2) niż wysokowydajna pamięć SRAM zbudowana w standardowym procesie logicznym, ale mają również znacznie większe opóźnienia. Dostęp do komórki uzyskuje się poprzez potwierdzenie linii słowa, aby połączyć kondensator z linią bitową. Podczas odczytu linia bitowa jest najpierw wstępnie ładowana do VDD/2. Kiedy linia słowa rośnie, kondensator dzieli swój ładunek z linią bitową, powodując wyczuwalną zmianę napięcia. Odczyt zaburza zawartość komórki w punkcie x, więc komórka musi zostać przepisana po każdym odczycie. Podczas zapisu bitline jest ustawiany na wysoki lub niski poziom, a napięcie jest wymuszane na kondensatorze. Niektóre pamięci DRAM ustawiają linię słowa na VDDP = VDD Vt, aby uniknąć obniżenia poziomu podczas pisania „1”.

About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2016-2024 A softusvista inc. venture!



Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!