Oscilação de tensão na linha de bits Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Oscilação de tensão no Bitline = (Tensão Positiva/2)*Capacitância Celular/(Capacitância Celular+Capacitância de bits)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Oscilação de tensão no Bitline - (Medido em Volt) - Voltage Swing on Bitline é definido como uma arquitetura SRAM de bitline local full-swing, que é baseada na tecnologia FinFET de 22 nm para operação de baixa tensão.
Tensão Positiva - (Medido em Volt) - A tensão positiva é definida como a tensão calculada quando o circuito está conectado à fonte de alimentação. Geralmente é chamada de Vdd ou fonte de alimentação do circuito.
Capacitância Celular - (Medido em Farad) - Capacitância da célula é a capacitância da célula individual.
Capacitância de bits - (Medido em Farad) - Capacitância de bit é a capacitância de um bit em cmos vlsi.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Positiva: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Nenhuma conversão necessária
Capacitância Celular: 5.98 Picofarad --> 5.98E-12 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Capacitância de bits: 12.38 Picofarad --> 1.238E-11 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit) --> (2.58/2)*5.98E-12/(5.98E-12+1.238E-11)
Avaliando ... ...
ΔV = 0.42016339869281
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.42016339869281 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.42016339869281 0.420163 Volt <-- Oscilação de tensão no Bitline
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

19 Subsistema de Datapath de matriz Calculadoras

Atraso do somador Carry-Looker
​ Vai Atraso do somador Carry-Looker = Atraso de propagação+Atraso de propagação de grupo+((Entrada N E Porta-1)+(Entrada K E Porta-1))*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Multiplexer Delay
​ Vai Atraso do multiplexador = (Atraso do somador Carry-Skip-(Atraso de propagação+(2*(Entrada N E Porta-1)*Atraso da porta AND-OR)-Atraso XOR))/(Entrada K E Porta-1)
Atraso Carry-Skip Adder
​ Vai Atraso do somador Carry-Skip = Atraso de propagação+2*(Entrada N E Porta-1)*Atraso da porta AND-OR+(Entrada K E Porta-1)*Atraso do multiplexador+Atraso XOR
Atraso do somador do Carry-Increamentor
​ Vai Atraso do adicionador de incremento de transporte = Atraso de propagação+Atraso de propagação de grupo+(Entrada K E Porta-1)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Atraso Crítico em Portões
​ Vai Atraso Crítico em Portões = Atraso de propagação+(Entrada N E Porta+(Entrada K E Porta-2))*Atraso da porta AND-OR+Atraso do multiplexador
Atraso de Propagação de Grupo
​ Vai Atraso de propagação = Atraso do Somador de Árvore-(log2(Frequência Absoluta)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR)
Atraso de adição de árvore
​ Vai Atraso do Somador de Árvore = Atraso de propagação+log2(Frequência Absoluta)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Capacitância Celular
​ Vai Capacitância Celular = (Capacitância de bits*2*Oscilação de tensão no Bitline)/(Tensão Positiva-(Oscilação de tensão no Bitline*2))
Capacitância de bits
​ Vai Capacitância de bits = ((Tensão Positiva*Capacitância Celular)/(2*Oscilação de tensão no Bitline))-Capacitância Celular
Oscilação de tensão na linha de bits
​ Vai Oscilação de tensão no Bitline = (Tensão Positiva/2)*Capacitância Celular/(Capacitância Celular+Capacitância de bits)
Atraso 'XOR'
​ Vai Atraso XOR = Tempo de ondulação-(Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR)
Capacitância de Terra
​ Vai Capacitância de Terra = ((Tensão Agressora*Capacitância Adjacente)/Tensão da Vítima)-Capacitância Adjacente
Carry-Ripple Adder Critical Path Delay
​ Vai Tempo de ondulação = Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Área de memória contendo N bits
​ Vai Área da Célula de Memória = (Área da célula de memória de um bit*Frequência Absoluta)/Eficiência da matriz
Área da Célula de Memória
​ Vai Área da célula de memória de um bit = (Eficiência da matriz*Área da Célula de Memória)/Frequência Absoluta
Eficiência do Array
​ Vai Eficiência da matriz = (Área da célula de memória de um bit*Frequência Absoluta)/Área da Célula de Memória
Adicionador Carry-Skip de N-Bit
​ Vai Adicionador de salto de transporte de N bits = Entrada N E Porta*Entrada K E Porta
K-Input 'E' Gate
​ Vai Entrada K E Porta = Adicionador de salto de transporte de N bits/Entrada N E Porta
N-Input 'E' Gate
​ Vai Entrada N E Porta = Adicionador de salto de transporte de N bits/Entrada K E Porta

Oscilação de tensão na linha de bits Fórmula

Oscilação de tensão no Bitline = (Tensão Positiva/2)*Capacitância Celular/(Capacitância Celular+Capacitância de bits)
ΔV = (Vdd/2)*Ccell/(Ccell+Cbit)

O que são RAMs dinâmicas (DRAMs)?

RAMs dinâmicas (DRAMs) armazenam seu conteúdo como carga em um capacitor em vez de em um loop de feedback. As DRAMs comerciais são construídas em processos especializados otimizados para estruturas densas de capacitores. Eles oferecem um fator de densidade 10–20 maior (bits/cm2) do que a SRAM de alto desempenho construída em um processo lógico padrão, mas também têm latência muito maior. A célula é acessada afirmando a linha de palavra para conectar o capacitor à linha de bits. Em uma leitura, a linha de bits é primeiro pré-carregada para VDD/2. Quando a linha de palavras aumenta, o capacitor compartilha sua carga com a linha de bits, causando uma mudança de tensão que pode ser detectada. A leitura perturba o conteúdo da célula em x, portanto, a célula deve ser reescrita após cada leitura. Em uma gravação, a linha de bits é alta ou baixa e a tensão é forçada no capacitor. Algumas DRAMs direcionam a linha de palavras para VDDP = VDD Vt para evitar um nível degradado ao escrever um '1'.

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