Largura da Difusão da Fonte Calculadora

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✖A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.ⓘ Área de Difusão de Fonte [A_s]			+10% -10%
✖O comprimento da fonte é definido como o comprimento total observado na junção da fonte do MOSFET.ⓘ Comprimento da Fonte [D_s]			+10% -10%

✖A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.ⓘ Largura da Difusão da Fonte [W]

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Fórmula

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Largura da Difusão da Fonte

Fórmula

`"W" = "A"_{"s"}/"D"_{"s"}`

Exemplo

`"89.81967mm"="5479mm²"/"61mm"`

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Largura da Difusão da Fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
W = A_s/D_s
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Largura da transição - (Medido em Metro) - A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.
Área de Difusão de Fonte - (Medido em Metro quadrado) - A área de difusão da fonte é definida como o movimento líquido de qualquer coisa de uma região de maior concentração para uma região de menor concentração na porta da fonte.
Comprimento da Fonte - (Medido em Metro) - O comprimento da fonte é definido como o comprimento total observado na junção da fonte do MOSFET.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Área de Difusão de Fonte: 5479 Milimetros Quadrados --> 0.005479 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Comprimento da Fonte: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

W = A_s/D_s --> 0.005479/0.061

Avaliando ... ...

W = 0.0898196721311476

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0898196721311476 Metro -->89.8196721311476 Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

89.8196721311476 ≈ 89.81967 Milímetro <-- Largura da transição

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Largura da Difusão da Fonte Fórmula

Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
W = A_s/D_s

Quais são as aplicações da difusão de fontes?

A difusão da fonte é um processo crítico na tecnologia CMOS, com inúmeras aplicações. É usado para reduzir as dimensões dos transistores, melhorar o desempenho dos circuitos obtidos e aumentar a velocidade geral dos chips. Além disso, a difusão da fonte facilita a integração de múltiplos transistores em um único chip, possibilitando a fabricação de circuitos integrados complexos e de alta densidade.

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