Tensão Crítica CMOS Calculadora

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✖Campo Elétrico Crítico é definido como a força elétrica por unidade de carga.ⓘ Campo Elétrico Crítico [E_c]			+10% -10%
✖Caminho Livre Médio é definido como a distância média percorrida por uma partícula em movimento entre impactos sucessivos, o que modifica sua direção ou energia ou outras propriedades da partícula.ⓘ Significa caminho livre [L]			+10% -10%

✖A tensão crítica no CMOS é a fase mínima da tensão neutra que brilha e aparece ao longo de todo o condutor da linha.ⓘ Tensão Crítica CMOS [V_c]

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Fórmula

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Tensão Crítica CMOS

Fórmula

`"V"_{"c"} = "E"_{"c"}*"L"`

Exemplo

`"2.79028V"="0.004V/mm"*"697.57mm"`

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Tensão Crítica CMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
V_c = E_c*L
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão Crítica em CMOS - (Medido em Volt) - A tensão crítica no CMOS é a fase mínima da tensão neutra que brilha e aparece ao longo de todo o condutor da linha.
Campo Elétrico Crítico - (Medido em Volt por Metro) - Campo Elétrico Crítico é definido como a força elétrica por unidade de carga.
Significa caminho livre - (Medido em Metro) - Caminho Livre Médio é definido como a distância média percorrida por uma partícula em movimento entre impactos sucessivos, o que modifica sua direção ou energia ou outras propriedades da partícula.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Campo Elétrico Crítico: 0.004 Volt por Milímetro --> 4 Volt por Metro (Verifique a conversão aqui)
Significa caminho livre: 697.57 Milímetro --> 0.69757 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_c = E_c*L --> 4*0.69757

Avaliando ... ...

V_c = 2.79028

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.79028 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.79028 Volt <-- Tensão Crítica em CMOS

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Tensão Crítica CMOS Fórmula

Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
V_c = E_c*L

O que é degradação da mobilidade?

Uma alta tensão na porta do transistor atrai as portadoras para a borda do canal, causando colisões com a interface de óxido que retardam as portadoras. Isso é chamado de degradação da mobilidade.

O que é saturação de velocidade?

Portadores aproximam-se de uma velocidade máxima vsat quando campos altos são aplicados. Este fenômeno é chamado de saturação de velocidade.

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