Potencial embutido Calculadora

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✖Tensão térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.ⓘ Tensão Térmica [V_t]			+10% -10%
✖A concentração do aceitador é a concentração de lacunas no estado aceitador.ⓘ Concentração do aceitante [N_a]			+10% -10%
✖A concentração do doador é a concentração de elétrons no estado doador.ⓘ Concentração de Doadores [N_d]			+10% -10%
✖A concentração intrínseca de elétrons é definida como o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.ⓘ Concentração Intrínseca de Elétrons [n_i]			+10% -10%

✖O potencial integrado é o potencial dentro do MOSFET.ⓘ Potencial embutido [ψ_o]

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Fórmula

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Potencial embutido

Fórmula

`"ψ"_{"o"} = "V"_{"t"}*ln(("N"_{"a"}*"N"_{"d"})/("n"_{"i"}^2))`

Exemplo

`"18.81808V"="0.55V"*ln(("1100/m³"*"1.9e14/m³")/(("17")^2))`

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Potencial embutido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Potencial Integrado = Tensão Térmica*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Elétrons^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)

Variáveis Usadas

Potencial Integrado - (Medido em Volt) - O potencial integrado é o potencial dentro do MOSFET.
Tensão Térmica - (Medido em Volt) - Tensão térmica é a tensão produzida dentro da junção pn.
Concentração do aceitante - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do aceitador é a concentração de lacunas no estado aceitador.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do doador é a concentração de elétrons no estado doador.
Concentração Intrínseca de Elétrons - A concentração intrínseca de elétrons é definida como o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Térmica: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante: 1100 1 por metro cúbico --> 1100 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de Doadores: 190000000000000 1 por metro cúbico --> 190000000000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração Intrínseca de Elétrons: 17 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Avaliando ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

18.8180761773197 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Volt <-- Potencial Integrado

(Cálculo concluído em 00.007 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 24 Características de projeto CMOS Calculadoras

Terra para Capacitância de Agressão

Vai Capacitância Adjacente = ((Motorista vítima*Razão Constante de Tempo*Capacitância de Terra)-(Motorista de agressão*Capacitância Aterrada))/(Motorista de agressão-Motorista vítima*Razão Constante de Tempo)

Victim Driver

Vai Motorista vítima = (Motorista de agressão*(Capacitância Aterrada+Capacitância Adjacente))/(Razão Constante de Tempo*(Capacitância Adjacente+Capacitância de Terra))

Motorista de agressão

Vai Motorista de agressão = (Motorista vítima*Razão Constante de Tempo*(Capacitância Adjacente+Capacitância de Terra))/(Capacitância Aterrada+Capacitância Adjacente)

Tensão térmica do CMOS

Vai Tensão Térmica = Potencial Integrado/ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Elétrons^2))

Potencial embutido

Vai Potencial Integrado = Tensão Térmica*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Elétrons^2))

Tensão do Agressor

Vai Tensão Agressora = (Tensão da Vítima*(Capacitância de Terra+Capacitância Adjacente))/Capacitância Adjacente

Victim Voltage

Vai Tensão da Vítima = (Tensão Agressora*Capacitância Adjacente)/(Capacitância de Terra+Capacitância Adjacente)

Capacitância Adjacente

Vai Capacitância Adjacente = (Tensão da Vítima*Capacitância de Terra)/(Tensão Agressora-Tensão da Vítima)

Esforço de ramificação

Vai Esforço de ramificação = (Capacitância no caminho+Capacitância fora do caminho)/Capacitância no caminho

Fase do relógio de saída

Vai Fase do relógio de saída = 2*pi*Tensão de controle VCO*Ganho de VCO

Taxa constante de tempo de agressão à vítima

Vai Razão Constante de Tempo = Constante de Tempo de Agressão/Constante de Tempo da Vítima

Constante de tempo de agressão

Vai Constante de Tempo de Agressão = Razão Constante de Tempo*Constante de Tempo da Vítima

Constante de tempo da vítima

Vai Constante de Tempo da Vítima = Constante de Tempo de Agressão/Razão Constante de Tempo

Capacitância total vista por estágio

Vai Capacitância Total no Estágio = Capacitância no caminho+Capacitância fora do caminho

Capacitância fora do caminho

Vai Capacitância fora do caminho = Capacitância Total no Estágio-Capacitância no caminho

Capacitância Onpath

Vai Capacitância no caminho = Capacitância Total no Estágio-Capacitância fora do caminho

Capacitância fora do caminho do CMOS

Vai Capacitância fora do caminho = Capacitância no caminho*(Esforço de ramificação-1)

Mudança no relógio de frequência

Vai Mudança na frequência do relógio = Ganho de VCO*Tensão de controle VCO

Fator de ganho único de VCO

Vai Ganho de VCO = Mudança na frequência do relógio/Tensão de controle VCO

Tensão de compensação VCO

Vai Tensão de compensação VCO = Tensão de controle VCO-Tensão de bloqueio

Tensão de controle VCO

Vai Tensão de controle VCO = Tensão de bloqueio+Tensão de compensação VCO

Tensão de bloqueio

Vai Tensão de bloqueio = Tensão de controle VCO-Tensão de compensação VCO

Dissipação de energia estática

Vai Potência Estática = Corrente Estática*Tensão do Coletor Base

Corrente Estática

Vai Corrente Estática = Potência Estática/Tensão do Coletor Base

Potencial embutido Fórmula

Potencial Integrado = Tensão Térmica*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Elétrons^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Em que princípio funciona o modelo de capacitância de difusão MOS?

Um transistor MOS pode ser visto como um dispositivo de quatro terminais com capacitâncias entre cada par de terminais. A capacitância da porta inclui um componente intrínseco (ao corpo, fonte e dreno, ou apenas fonte, dependendo do regime de operação) e sobrepõe termos com a fonte e o dreno. A fonte e o dreno têm capacitância de difusão parasita para o corpo.

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