Potentiel intégré Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables
Fonctions utilisées
ln - नैसर्गिक लॉगरिथम, ज्याला बेस e ला लॉगरिथम असेही म्हणतात, हे नैसर्गिक घातांकीय कार्याचे व्यस्त कार्य आहे., ln(Number)
Variables utilisées
Potentiel intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel intégré est le potentiel à l’intérieur du MOSFET.
Tension thermique - (Mesuré en Volt) - La tension thermique est la tension produite au sein de la jonction pn.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration de trous dans l'état d'accepteur.
Concentration des donneurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.
Concentration électronique intrinsèque - La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension thermique: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1100 1 par mètre cube --> 1100 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration des donneurs: 190000000000000 1 par mètre cube --> 190000000000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Concentration électronique intrinsèque: 17 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))
Évaluer ... ...
ψo = 18.8180761773197
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
18.8180761773197 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
18.8180761773197 18.81808 Volt <-- Potentiel intégré
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

24 Caractéristiques de conception CMOS Calculatrices

Capacité du sol à l'agression
Aller Capacité adjacente = ((Victime Conducteur*Rapport de constante de temps*Capacité au sol)-(Conducteur d'agression*Mettre à la terre une capacité))/(Conducteur d'agression-Victime Conducteur*Rapport de constante de temps)
Conducteur victime
Aller Victime Conducteur = (Conducteur d'agression*(Mettre à la terre une capacité+Capacité adjacente))/(Rapport de constante de temps*(Capacité adjacente+Capacité au sol))
Pilote d'agression
Aller Conducteur d'agression = (Victime Conducteur*Rapport de constante de temps*(Capacité adjacente+Capacité au sol))/(Mettre à la terre une capacité+Capacité adjacente)
Tension thermique du CMOS
Aller Tension thermique = Potentiel intégré/ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
Potentiel intégré
Aller Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
Capacité adjacente
Aller Capacité adjacente = (Tension de la victime*Capacité au sol)/ (Tension de l'agresseur-Tension de la victime)
Tension d'agresseur
Aller Tension de l'agresseur = (Tension de la victime*(Capacité au sol+Capacité adjacente))/Capacité adjacente
Tension de la victime
Aller Tension de la victime = (Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/(Capacité au sol+Capacité adjacente)
Effort de ramification
Aller Effort de branchement = (Capacité en route+Capacité hors parcours)/Capacité en route
Phase d'horloge de sortie
Aller Phase d'horloge de sortie = 2*pi*Tension de contrôle VCO*Gain du VCO
Constante de temps de la victime
Aller Constante de temps de la victime = Constante de temps d'agression/Rapport de constante de temps
Constante de temps d'agression
Aller Constante de temps d'agression = Rapport de constante de temps*Constante de temps de la victime
Rapport constant de temps de l'agression à la victime
Aller Rapport de constante de temps = Constante de temps d'agression/Constante de temps de la victime
Tension de contrôle VCO
Aller Tension de contrôle VCO = Tension de verrouillage+Tension de décalage du VCO
Tension de verrouillage
Aller Tension de verrouillage = Tension de contrôle VCO-Tension de décalage du VCO
Tension de décalage VCO
Aller Tension de décalage du VCO = Tension de contrôle VCO-Tension de verrouillage
Changement d'horloge de fréquence
Aller Changement de fréquence d'horloge = Gain du VCO*Tension de contrôle VCO
Facteur de gain unique VCO
Aller Gain du VCO = Changement de fréquence d'horloge/Tension de contrôle VCO
Capacité hors chemin du CMOS
Aller Capacité hors parcours = Capacité en route*(Effort de branchement-1)
Capacitance Onpath
Aller Capacité en route = Capacité totale en scène-Capacité hors parcours
Courant statique
Aller Courant statique = Puissance statique/Tension du collecteur de base
Dissipation de puissance statique
Aller Puissance statique = Courant statique*Tension du collecteur de base
Capacité totale vue par étage
Aller Capacité totale en scène = Capacité en route+Capacité hors parcours
Capacitance Offpath
Aller Capacité hors parcours = Capacité totale en scène-Capacité en route

Potentiel intégré Formule

Potentiel intégré = Tension thermique*ln((Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs)/(Concentration électronique intrinsèque^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))

Sur quel principe fonctionne le modèle de capacité de diffusion MOS ?

Un transistor MOS peut être considéré comme un dispositif à quatre bornes avec des capacités entre chaque paire de bornes. La capacité de grille comprend une composante intrinsèque (au corps, à la source et au drain, ou à la source seule, selon le régime de fonctionnement) et des termes de chevauchement avec la source et le drain. La source et le drain ont une capacité de diffusion parasite vers le corps.

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