Eingebautes Potenzial Taschenrechner

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CMOS-Wechselrichter

CMOS-Zeiteigenschaften

Eigenschaften der CMOS-Schaltung

✖Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%
✖Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]			+10% -10%
✖Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.ⓘ Intrinsische Elektronenkonzentration [n_i]			+10% -10%

✖Das eingebaute Potenzial ist das Potenzial innerhalb des MOSFET.ⓘ Eingebautes Potenzial [ψ_o]

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Formel

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Eingebautes Potenzial

Formel

`"ψ"_{"o"} = "V"_{"t"}*ln(("N"_{"a"}*"N"_{"d"})/("n"_{"i"}^2))`

Beispiel

`"18.81808V"="0.55V"*ln(("1100/m³"*"1.9e14/m³")/(("17")^2))`

Taschenrechner

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Eingebautes Potenzial Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingebautes Potenzial = Thermische Spannung*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

ln - Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)

Verwendete Variablen

Eingebautes Potenzial - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Potenzial ist das Potenzial innerhalb des MOSFET.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.
Intrinsische Elektronenkonzentration - Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Thermische Spannung: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration: 1100 1 pro Kubikmeter --> 1100 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Spenderkonzentration: 190000000000000 1 pro Kubikmeter --> 190000000000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Elektronenkonzentration: 17 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Auswerten ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

18.8180761773197 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Volt <-- Eingebautes Potenzial

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 24 CMOS-Designmerkmale Taschenrechner

Ground-to-Agression-Kapazität

Gehen Angrenzende Kapazität = ((Opferfahrer*Zeitkonstantes Verhältnis*Erdkapazität)-(Aggressionstreiber*Erden Sie eine Kapazität))/(Aggressionstreiber-Opferfahrer*Zeitkonstantes Verhältnis)

Opferfahrer

Gehen Opferfahrer = (Aggressionstreiber*(Erden Sie eine Kapazität+Angrenzende Kapazität))/(Zeitkonstantes Verhältnis*(Angrenzende Kapazität+Erdkapazität))

Aggressionstreiber

Gehen Aggressionstreiber = (Opferfahrer*Zeitkonstantes Verhältnis*(Angrenzende Kapazität+Erdkapazität))/(Erden Sie eine Kapazität+Angrenzende Kapazität)

Thermische Spannung von CMOS

Gehen Thermische Spannung = Eingebautes Potenzial/ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))

Eingebautes Potenzial

Gehen Eingebautes Potenzial = Thermische Spannung*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))

Aggressorspannung

Gehen Angreiferspannung = (Opferspannung*(Erdkapazität+Angrenzende Kapazität))/Angrenzende Kapazität

Opferspannung

Gehen Opferspannung = (Angreiferspannung*Angrenzende Kapazität)/(Erdkapazität+Angrenzende Kapazität)

Angrenzende Kapazität

Gehen Angrenzende Kapazität = (Opferspannung*Erdkapazität)/(Angreiferspannung-Opferspannung)

Verzweigungsaufwand

Gehen Verzweigungsaufwand = (Kapazität Onpath+Kapazität Offpath)/Kapazität Onpath

Ausgangstaktphase

Gehen Ausgangstaktphase = 2*pi*VCO-Steuerspannung*VCO-Verstärkung

Zeitkonstantes Verhältnis von Aggression zu Opfer

Gehen Zeitkonstantes Verhältnis = Zeitkonstante der Aggression/Zeitkonstante des Opfers

Aggressionszeitkonstante

Gehen Zeitkonstante der Aggression = Zeitkonstantes Verhältnis*Zeitkonstante des Opfers

Opferzeitkonstante

Gehen Zeitkonstante des Opfers = Zeitkonstante der Aggression/Zeitkonstantes Verhältnis

Gesamtkapazität nach Stufe gesehen

Gehen Gesamtkapazität in der Bühne = Kapazität Onpath+Kapazität Offpath

Kapazität Offpath

Gehen Kapazität Offpath = Gesamtkapazität in der Bühne-Kapazität Onpath

Kapazität Onpath

Gehen Kapazität Onpath = Gesamtkapazität in der Bühne-Kapazität Offpath

Änderung der Frequenzuhr

Gehen Änderung der Taktfrequenz = VCO-Verstärkung*VCO-Steuerspannung

VCO Single Gain Factor

Gehen VCO-Verstärkung = Änderung der Taktfrequenz/VCO-Steuerspannung

Off-Path-Kapazität von CMOS

Gehen Kapazität Offpath = Kapazität Onpath*(Verzweigungsaufwand-1)

Statische Verlustleistung

Gehen Statische Leistung = Statischer Strom*Basiskollektorspannung

Statischer Strom

Gehen Statischer Strom = Statische Leistung/Basiskollektorspannung

VCO-Steuerspannung

Gehen VCO-Steuerspannung = Spannung sperren+VCO-Offsetspannung

VCO-Offsetspannung

Gehen VCO-Offsetspannung = VCO-Steuerspannung-Spannung sperren

Sperrspannung

Gehen Spannung sperren = VCO-Steuerspannung-VCO-Offsetspannung

Eingebautes Potenzial Formel

Eingebautes Potenzial = Thermische Spannung*ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Nach welchem Prinzip funktioniert das MOS-Diffusionskapazitätsmodell?

Ein MOS-Transistor kann als Gerät mit vier Anschlüssen mit Kapazitäten zwischen jedem Anschlusspaar betrachtet werden. Die Gate-Kapazität enthält eine intrinsische Komponente (zu Body, Source und Drain oder Source allein, je nach Betriebsregime) und Überlappungsterme mit Source und Drain. Source und Drain haben eine parasitäre Diffusionskapazität zum Körper.

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