Tensão de ruptura do emissor coletor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)
Vce = Vcb/(ig)^(1/n)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Tensão de ruptura do emissor do coletor - (Medido em Volt) - A tensão de ruptura do coletor e emissor é a tensão entre os terminais coletor e emissor de um transistor de junção bipolar sem causar uma quebra no transistor.
Tensão de ruptura da base do coletor - (Medido em Volt) - A tensão de ruptura da base do coletor é a tensão máxima entre os terminais do coletor e da base de um transistor de junção bipolar sem causar uma ruptura no transistor.
Ganho atual do BJT - (Medido em Volt) - O ganho de corrente do BJT é usado para descrever as propriedades de amplificação do transistor. Indica o quanto a corrente do coletor é amplificada em relação à corrente de base.
Número raiz - Root Number representa uma constante ou um fator associado ao transistor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão de ruptura da base do coletor: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Nenhuma conversão necessária
Ganho atual do BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Nenhuma conversão necessária
Número raiz: 2 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vce = Vcb/(ig)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)
Avaliando ... ...
Vce = 2.10360235242853
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.10360235242853 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
2.10360235242853 2.103602 Volt <-- Tensão de ruptura do emissor do coletor
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Raul Gupta LinkedIn Logo
Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab
Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh LinkedIn Logo
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Condutividade do Tipo N
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))
Condutividade ôhmica da impureza
​ LaTeX ​ Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
Impureza com Concentração Intrínseca
​ LaTeX ​ Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)
Tensão de ruptura do emissor coletor
​ LaTeX ​ Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Tensão de ruptura do emissor coletor Fórmula

​LaTeX ​Vai
Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)
Vce = Vcb/(ig)^(1/n)
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