Tensão de ruptura do emissor coletor Calculadora

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Fabricação de CI bipolar

Fabricação de IC MOS

Gatilho Schmitt

✖A tensão de ruptura da base do coletor é a tensão máxima entre os terminais do coletor e da base de um transistor de junção bipolar sem causar uma ruptura no transistor.ⓘ Tensão de ruptura da base do coletor [V_cb]			+10% -10%
✖O ganho de corrente do BJT é usado para descrever as propriedades de amplificação do transistor. Indica o quanto a corrente do coletor é amplificada em relação à corrente de base.ⓘ Ganho atual do BJT [i_g]			+10% -10%
✖Root Number representa uma constante ou um fator associado ao transistor.ⓘ Número raiz [n]			+10% -10%

✖A tensão de ruptura do coletor e emissor é a tensão entre os terminais coletor e emissor de um transistor de junção bipolar sem causar uma quebra no transistor.ⓘ Tensão de ruptura do emissor coletor [V_ce]

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Fórmula

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Tensão de ruptura do emissor coletor

Fórmula

`"V"_{"ce"} = "V"_{"cb"}/("i"_{"g"})^(1/"n")`

Exemplo

`"2.103602V"="3.52V"/("2.8V")^(1/"2")`

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Tensão de ruptura do emissor coletor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão de ruptura do emissor do coletor - (Medido em Volt) - A tensão de ruptura do coletor e emissor é a tensão entre os terminais coletor e emissor de um transistor de junção bipolar sem causar uma quebra no transistor.
Tensão de ruptura da base do coletor - (Medido em Volt) - A tensão de ruptura da base do coletor é a tensão máxima entre os terminais do coletor e da base de um transistor de junção bipolar sem causar uma ruptura no transistor.
Ganho atual do BJT - (Medido em Volt) - O ganho de corrente do BJT é usado para descrever as propriedades de amplificação do transistor. Indica o quanto a corrente do coletor é amplificada em relação à corrente de base.
Número raiz - Root Number representa uma constante ou um fator associado ao transistor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão de ruptura da base do coletor: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Nenhuma conversão necessária
Ganho atual do BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Nenhuma conversão necessária
Número raiz: 2 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Avaliando ... ...

V_ce = 2.10360235242853

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.10360235242853 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Volt <-- Tensão de ruptura do emissor do coletor

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 19 Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Resistência do Paralelepípedo Retangular

Vai Resistência = ((Resistividade*Espessura da Camada)/(Largura da camada difusa*Comprimento da camada difusa))*(ln(Largura do retângulo inferior/Comprimento do retângulo inferior)/(Largura do retângulo inferior-Comprimento do retângulo inferior))

Átomos de Impureza por Unidade de Área

Vai Impureza total = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica))

Condutividade do Tipo N

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade do tipo P

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P)

Condutividade ôhmica da impureza

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Vai Capacitância da Fonte da Porta = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição)

Corrente de Coletor do Transistor PNP

Vai Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica

Corrente de saturação no transistor

Vai Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energia de carga capacitiva dada a tensão de alimentação

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Número total de comutação de saídas

Resistência da Folha da Camada

Vai Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)

Resistência da Camada Difusa

Vai Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))

Buraco de densidade atual

Vai Densidade atual do furo = Cobrar*Constante de difusão para PNP*(Concentração de Equilíbrio do Buraco/Largura básica)

Impureza com Concentração Intrínseca

Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Eficiência de injeção de emissor

Vai Eficiência de injeção de emissor = Corrente do Emissor/(Corrente do emissor devido aos elétrons+Corrente do Emissor devido a Buracos)

Tensão de ruptura do emissor coletor

Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Corrente fluindo no diodo Zener

Vai Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener

Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem

Vai Eficiência de injeção de emissor = Doping no lado N/(Doping no lado N+Doping no lado P)

Fator de conversão de tensão em frequência em CIs

Vai Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada

Fator de transporte base dada a largura base

Vai Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)

Tensão de ruptura do emissor coletor Fórmula

Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)

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