Condutividade ôhmica da impureza Calculadora

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Fabricação de CI bipolar

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Gatilho Schmitt

✖Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.ⓘ Cobrar [q]			+10% -10%
✖A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.ⓘ Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica [μ_n]			+10% -10%
✖A concentração de elétrons é influenciada por vários fatores, como temperatura, impurezas ou dopantes adicionados ao material semicondutor e campos elétricos ou magnéticos externos.ⓘ Concentração de Elétrons [n_e]			+10% -10%
✖Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado.ⓘ Dopagem de furos Mobilidade de silício [μ_p]			+10% -10%
✖A concentração de furos implica um maior número de portadores de carga disponíveis no material, afetando sua condutividade e diversos dispositivos semicondutores.ⓘ Concentração de Buraco [p]			+10% -10%

✖A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.ⓘ Condutividade ôhmica da impureza [σ]

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Fórmula

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Condutividade ôhmica da impureza

Fórmula

`"σ" = "q"*("μ"_{"n"}*"n"_{"e"}+"μ"_{"p"}*"p")`

Exemplo

`"0.10442mho/cm"="5mC"*("0.38cm²/V*s"*"50.6/cm³"+"2.4cm²/V*s"*"0.69/cm³")`

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Condutividade ôhmica da impureza Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)
Esta fórmula usa 6 Variáveis

Variáveis Usadas

Condutividade Ohmica - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.
Concentração de Elétrons - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de elétrons é influenciada por vários fatores, como temperatura, impurezas ou dopantes adicionados ao material semicondutor e campos elétricos ou magnéticos externos.
Dopagem de furos Mobilidade de silício - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado.
Concentração de Buraco - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de furos implica um maior número de portadores de carga disponíveis no material, afetando sua condutividade e diversos dispositivos semicondutores.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Cobrar: 5 Milicoulomb --> 0.005 Coulomb (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica: 0.38 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 3.8E-05 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão aqui)
Concentração de Elétrons: 50.6 1 por centímetro cúbico --> 50600000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Dopagem de furos Mobilidade de silício: 2.4 Centímetro Quadrado por Volt Segundo --> 0.00024 Metro quadrado por volt por segundo (Verifique a conversão aqui)
Concentração de Buraco: 0.69 1 por centímetro cúbico --> 690000 1 por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)

Avaliando ... ...

σ = 10.442

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

10.442 Siemens/Metro -->0.10442 Mho/Centímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.10442 Mho/Centímetro <-- Condutividade Ohmica

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 19 Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Resistência do Paralelepípedo Retangular

Vai Resistência = ((Resistividade*Espessura da Camada)/(Largura da camada difusa*Comprimento da camada difusa))*(ln(Largura do retângulo inferior/Comprimento do retângulo inferior)/(Largura do retângulo inferior-Comprimento do retângulo inferior))

Átomos de Impureza por Unidade de Área

Vai Impureza total = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica))

Condutividade do Tipo N

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade do tipo P

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P)

Condutividade ôhmica da impureza

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Vai Capacitância da Fonte da Porta = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição)

Corrente de Coletor do Transistor PNP

Vai Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica

Corrente de saturação no transistor

Vai Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energia de carga capacitiva dada a tensão de alimentação

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Número total de comutação de saídas

Resistência da Folha da Camada

Vai Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)

Resistência da Camada Difusa

Vai Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))

Buraco de densidade atual

Vai Densidade atual do furo = Cobrar*Constante de difusão para PNP*(Concentração de Equilíbrio do Buraco/Largura básica)

Impureza com Concentração Intrínseca

Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Eficiência de injeção de emissor

Vai Eficiência de injeção de emissor = Corrente do Emissor/(Corrente do emissor devido aos elétrons+Corrente do Emissor devido a Buracos)

Tensão de ruptura do emissor coletor

Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Corrente fluindo no diodo Zener

Vai Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener

Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem

Vai Eficiência de injeção de emissor = Doping no lado N/(Doping no lado N+Doping no lado P)

Fator de conversão de tensão em frequência em CIs

Vai Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada

Fator de transporte base dada a largura base

Vai Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)

Condutividade ôhmica da impureza Fórmula

Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)
σ = q*(μ_n*n_e+μ_p*p)

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