Tensão do coletor para o emissor na saturação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão Coletor-Emissor = Tensão Base-Emissor-Tensão do Coletor de Base
VCE = VBE-VBC
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Tensão Coletor-Emissor - (Medido em Volt) - A tensão do coletor-emissor é o potencial elétrico entre a base e a região do coletor de um transistor.
Tensão Base-Emissor - (Medido em Volt) - A tensão base-emissor é a tensão direta entre a base e o emissor do transistor.
Tensão do Coletor de Base - (Medido em Volt) - A tensão do coletor de base é o potencial elétrico entre a base e a região do coletor de um transistor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Base-Emissor: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão do Coletor de Base: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
VCE = VBE-VBC --> 5.15-2
Avaliando ... ...
VCE = 3.15
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
3.15 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
3.15 Volt <-- Tensão Coletor-Emissor
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

12 Tensão Calculadoras

Tensão de entrada finita de BJT na frequência de ganho unitário dada variável de frequência complexa
Vai Tensão de entrada = Corrente base/((1/Resistência de entrada)+Variável de frequência complexa*(Capacitância da Junção Coletor-Base+Capacitância da Junção Base-Emissor))
Tensão através do Coletor-Emissor do Amplificador BJT
Vai Tensão Coletor-Emissor = Tensão de alimentação-Resistência de carga*Corrente de saturação*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão de limiar)
Tensão de entrada finita de BJT na frequência de ganho unitário
Vai Tensão de entrada = Corrente base*(1/Resistência de entrada+1/Capacitância da Junção Coletor-Base+1/Capacitância base do emissor)
Componente único da tensão de dreno dada a transcondutância
Vai Tensão de dreno instantânea total = -Transcondutância*Tensão de entrada*Resistência de carga
Tensão entre Gate e Source
Vai Tensão de porta para fonte = Tensão de entrada/(1+Transcondutância*Resistência)
Tensão de saída dada a transcondutância
Vai Voltagem de saída = -(Transcondutância*Resistência de carga*Tensão de entrada)
Tensão de saída do amplificador BJT
Vai Voltagem de saída = Tensão de alimentação-Drenar Corrente*Resistência de carga
Tensão de entrada de sinal pequeno dada a transcondutância
Vai Pequeno Sinal = Tensão de entrada*(1/(1+Transcondutância*Resistência))
Componente Único da Tensão de Dreno
Vai Tensão de dreno instantânea total = (-Alteração na corrente de drenagem*Resistência de carga)
Tensão do coletor para o emissor na saturação
Vai Tensão Coletor-Emissor = Tensão Base-Emissor-Tensão do Coletor de Base
Tensão Total Instantânea Gate-to-Source
Vai Tensão de porta para fonte = Pequeno Sinal+Tensão Através do Óxido
Tensão de alimentação na dissipação máxima de energia
Vai Tensão de alimentação = (pi*Poder)/2

20 Circuito BJT Calculadoras

Frequência de Transição do BJT
Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))
Corrente de base do transistor PNP usando corrente de saturação
Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)
Largura de banda de ganho unitário de BJT
Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)
Potência Total Dissipada em BJT
Vai Poder = Tensão Coletor-Emissor*Coletor atual+Tensão Base-Emissor*Corrente base
Corrente de Referência do Espelho BJT
Vai Corrente de referência = Coletor atual+(2*Coletor atual)/Ganho de Corrente do Emissor Comum
Taxa de rejeição de modo comum
Vai Taxa de rejeição de modo comum = 20*log10(Ganho do Modo Diferencial/Ganho de Modo Comum)
Tensão de saída do amplificador BJT
Vai Voltagem de saída = Tensão de alimentação-Drenar Corrente*Resistência de carga
Ganho de corrente de base comum
Vai Ganho de corrente de base comum = Ganho de Corrente do Emissor Comum/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)
Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária
Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base
Resistência de saída do BJT
Vai Resistência = (Tensão de alimentação+Tensão Coletor-Emissor)/Coletor atual
Potência Total Fornecida em BJT
Vai Poder = Tensão de alimentação*(Coletor atual+Corrente de entrada)
Corrente de base do transistor PNP dada a corrente do emissor
Vai Corrente base = corrente do emissor/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)
Corrente de base do transistor PNP usando ganho de corrente de base comum
Vai Corrente base = (1-Ganho de corrente de base comum)*corrente do emissor
Tensão do coletor para o emissor na saturação
Vai Tensão Coletor-Emissor = Tensão Base-Emissor-Tensão do Coletor de Base
Corrente do Coletor usando a Corrente do Emissor
Vai Coletor atual = Ganho de corrente de base comum*corrente do emissor
Corrente de Base do Transistor PNP usando Corrente de Coletor
Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum
Transcondutância de curto-circuito
Vai Transcondutância = Corrente de saída/Tensão de entrada
Corrente de Coletor de BJT
Vai Coletor atual = corrente do emissor-Corrente base
Corrente Emissora de BJT
Vai corrente do emissor = Coletor atual+Corrente base
Ganho Intrínseco do BJT
Vai Ganho Intrínseco = Tensão inicial/Tensão Térmica

Tensão do coletor para o emissor na saturação Fórmula

Tensão Coletor-Emissor = Tensão Base-Emissor-Tensão do Coletor de Base
VCE = VBE-VBC

O que é V

A tensão coletor-para-emissor v

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