Tension du collecteur à l'émetteur à saturation Calculatrice

✖La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.ⓘ Tension base-émetteur [V_BE]			+10% -10%
✖La tension base-collecteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.ⓘ Tension base-collecteur [V_BC]			+10% -10%

✖La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.ⓘ Tension du collecteur à l'émetteur à saturation [V_CE]

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Formule

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Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Formule

`"V"_{"CE"} = "V"_{"BE"}-"V"_{"BC"}`

Exemple

`"3.15V"="5.15V"-"2V"`

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Tension du collecteur à l'émetteur à saturation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
V_CE = V_BE-V_BC
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension collecteur-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.
Tension base-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-émetteur est la tension directe entre la base et l'émetteur du transistor.
Tension base-collecteur - (Mesuré en Volt) - La tension base-collecteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension base-émetteur: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Aucune conversion requise
Tension base-collecteur: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_CE = V_BE-V_BC --> 5.15-2

Évaluer ... ...

V_CE = 3.15

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

3.15 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

3.15 Volt <-- Tension collecteur-émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Tension » Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 12 Tension Calculatrices

Tension d'entrée finie de BJT à une fréquence de gain unitaire donnée Variable de fréquence complexe

Aller Tension d'entrée = Courant de base/((1/Résistance d'entrée)+Variable de fréquence complexe*(Capacité de jonction collecteur-base+Capacité de jonction base-émetteur))

Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension d'alimentation-Résistance de charge*Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension de seuil)

Tension d'entrée finie de BJT à la fréquence de gain unitaire

Aller Tension d'entrée = Courant de base*(1/Résistance d'entrée+1/Capacité de jonction collecteur-base+1/Capacité émetteur-base)

Composant unique de la tension de drain compte tenu de la transconductance

Aller Tension de drain instantanée totale = -Transconductance*Tension d'entrée*Résistance de charge

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Tension de sortie donnée Transconductance

Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Résistance de charge*Tension d'entrée)

Tension entre la porte et la source

Aller Tension porte à source = Tension d'entrée/(1+Transconductance*Résistance)

Tension d'entrée de petit signal donnée Transconductance

Aller Petit Signal = Tension d'entrée*(1/(1+Transconductance*Résistance))

Composante unique de la tension de drain

Aller Tension de drain instantanée totale = (-Modification du courant de drain*Résistance de charge)

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Tension porte-source instantanée totale

Aller Tension porte à source = Petit Signal+Tension aux bornes de l'oxyde

Tension d'alimentation à la dissipation de puissance maximale

Aller Tension d'alimentation = (pi*Pouvoir)/2

< 20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Transconductance de court-circuit

Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation Formule

Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
V_CE = V_BE-V_BC

Qu'est-ce que V

La tension collecteur-émetteur v

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