Tensão Total Instantânea Gate-to-Source Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão de porta para fonte = Pequeno Sinal+Tensão Através do Óxido
Vgs = Vss+Vox
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Tensão de porta para fonte - (Medido em Volt) - A tensão porta-fonte do transistor é a tensão que cai no terminal porta-fonte do transistor.
Pequeno Sinal - (Medido em Volt) - Sinal pequeno é um sinal CA (mais tecnicamente, um sinal com valor médio zero) sobreposto a um sinal de polarização (ou sobreposto a um sinal constante CC).
Tensão Através do Óxido - (Medido em Volt) - Tensão através do óxido devido à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Pequeno Sinal: 3.2 Volt --> 3.2 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Através do Óxido: 1.5 Volt --> 1.5 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vgs = Vss+Vox --> 3.2+1.5
Avaliando ... ...
Vgs = 4.7
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
4.7 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
4.7 Volt <-- Tensão de porta para fonte
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh verificou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

12 Tensão Calculadoras

Tensão de entrada finita de BJT na frequência de ganho unitário dada variável de frequência complexa
​ Vai Tensão de entrada = Corrente base/((1/Resistência de entrada)+Variável de frequência complexa*(Capacitância da Junção Coletor-Base+Capacitância da Junção Base-Emissor))
Tensão através do Coletor-Emissor do Amplificador BJT
​ Vai Tensão Coletor-Emissor = Tensão de alimentação-Resistência de carga*Corrente de saturação*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão de limiar)
Tensão de entrada finita de BJT na frequência de ganho unitário
​ Vai Tensão de entrada = Corrente base*(1/Resistência de entrada+1/Capacitância da Junção Coletor-Base+1/Capacitância base do emissor)
Componente único da tensão de dreno dada a transcondutância
​ Vai Tensão de dreno instantânea total = -Transcondutância*Tensão de entrada*Resistência de carga
Tensão entre Gate e Source
​ Vai Tensão de porta para fonte = Tensão de entrada/(1+Transcondutância*Resistência)
Tensão de saída dada a transcondutância
​ Vai Voltagem de saída = -(Transcondutância*Resistência de carga*Tensão de entrada)
Tensão de saída do amplificador BJT
​ Vai Voltagem de saída = Tensão de alimentação-Drenar Corrente*Resistência de carga
Tensão de entrada de sinal pequeno dada a transcondutância
​ Vai Pequeno Sinal = Tensão de entrada*(1/(1+Transcondutância*Resistência))
Componente Único da Tensão de Dreno
​ Vai Tensão de dreno instantânea total = (-Alteração na corrente de drenagem*Resistência de carga)
Tensão do coletor para o emissor na saturação
​ Vai Tensão Coletor-Emissor = Tensão Base-Emissor-Tensão do Coletor de Base
Tensão Total Instantânea Gate-to-Source
​ Vai Tensão de porta para fonte = Pequeno Sinal+Tensão Através do Óxido
Tensão de alimentação na dissipação máxima de energia
​ Vai Tensão de alimentação = (pi*Poder)/2

Tensão Total Instantânea Gate-to-Source Fórmula

Tensão de porta para fonte = Pequeno Sinal+Tensão Através do Óxido
Vgs = Vss+Vox

O que é MOSFET e sua aplicação?

É usado para comutar ou amplificar sinais. A capacidade de alterar a condutividade com a quantidade de voltagem aplicada pode ser usada para amplificar ou alternar sinais eletrônicos. Os MOSFETs agora são ainda mais comuns do que os BJTs (transistores de junção bipolar) em circuitos digitais e analógicos.

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