Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung Taschenrechner

✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [V_BE]			+10% -10%
✖Die Basis-Kollektor-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorbereich eines Transistors.ⓘ Basis-Kollektor-Spannung [V_BC]			+10% -10%

✖Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.ⓘ Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung [V_CE]

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Formel

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Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Formel

`"V"_{"CE"} = "V"_{"BE"}-"V"_{"BC"}`

Beispiel

`"3.15V"="5.15V"-"2V"`

Taschenrechner

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Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
V_CE = V_BE-V_BC
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kollektor-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Basis-Kollektor-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Kollektor-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorbereich eines Transistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Kollektor-Spannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_CE = V_BE-V_BC --> 5.15-2

Auswerten ... ...

V_CE = 3.15

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.15 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.15 Volt <-- Kollektor-Emitter-Spannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 12 Stromspannung Taschenrechner

Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz bei gegebener komplexer Frequenzvariable

Gehen Eingangsspannung = Basisstrom/((1/Eingangswiderstand)+Komplexe Frequenzvariable*(Kollektor-Basis-Übergangskapazität+Basis-Emitter-Übergangskapazität))

Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung)

Endliche Eingangsspannung von BJT bei Einheitsverstärkungsfrequenz

Gehen Eingangsspannung = Basisstrom*(1/Eingangswiderstand+1/Kollektor-Basis-Übergangskapazität+1/Emitter-Basis-Kapazität)

Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = -Steilheit*Eingangsspannung*Lastwiderstand

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Spannung zwischen Gate und Source

Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsspannung/(1+Steilheit*Widerstand)

Ausgangsspannung bei Steilheit

Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Lastwiderstand*Eingangsspannung)

Kleinsignal-Eingangsspannung bei Transkonduktanz

Gehen Kleines Signal = Eingangsspannung*(1/(1+Steilheit*Widerstand))

Einzelne Komponente der Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Drain-Spannung = (-Änderung des Drainstroms*Lastwiderstand)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung

Gehen Gate-Source-Spannung = Kleines Signal+Spannung über Oxid

Versorgungsspannung bei maximaler Verlustleistung

Gehen Versorgungsspannung = (pi*Leistung)/2

< 20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschluss-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung Formel

Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
V_CE = V_BE-V_BC

Was ist V.

Die Kollektor-Emitter-Spannung v

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