Tensione collettore-emettitore alla saturazione calcolatrice

✖La tensione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.ⓘ Tensione base-emettitore [V_BE]			+10% -10%
✖La tensione del collettore di base è il potenziale elettrico tra la regione di base e quella del collettore di un transistor.ⓘ Tensione base-collettore [V_BC]			+10% -10%

✖La tensione collettore-emettitore è il potenziale elettrico tra la base e la regione del collettore di un transistor.ⓘ Tensione collettore-emettitore alla saturazione [V_CE]

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Formula

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Tensione collettore-emettitore alla saturazione

Formula

`"V"_{"CE"} = "V"_{"BE"}-"V"_{"BC"}`

Esempio

`"3.15V"="5.15V"-"2V"`

Calcolatrice

LaTeX

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Scaricamento BJT Formula PDF

Tensione collettore-emettitore alla saturazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore
V_CE = V_BE-V_BC
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione collettore-emettitore - (Misurato in Volt) - La tensione collettore-emettitore è il potenziale elettrico tra la base e la regione del collettore di un transistor.
Tensione base-emettitore - (Misurato in Volt) - La tensione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.
Tensione base-collettore - (Misurato in Volt) - La tensione del collettore di base è il potenziale elettrico tra la regione di base e quella del collettore di un transistor.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione base-emettitore: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione base-collettore: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_CE = V_BE-V_BC --> 5.15-2

Valutare ... ...

V_CE = 3.15

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.15 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

3.15 Volt <-- Tensione collettore-emettitore

(Calcolo completato in 00.005 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 12 Voltaggio Calcolatrici

Tensione di ingresso finita di BJT alla frequenza del guadagno unitario data la variabile di frequenza complessa

Partire Tensione di ingresso = Corrente di base/((1/Resistenza di ingresso)+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di giunzione collettore-base+Capacità di giunzione base-emettitore))

Tensione attraverso il collettore-emettitore dell'amplificatore BJT

Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione di alimentazione-Resistenza al carico*Corrente di saturazione*e^(Tensione base-emettitore/Soglia di voltaggio)

Tensione di ingresso finita di BJT alla frequenza di guadagno unitario

Partire Tensione di ingresso = Corrente di base*(1/Resistenza di ingresso+1/Capacità di giunzione collettore-base+1/Capacità di base dell'emettitore)

Singolo componente della tensione di drenaggio data la transconduttanza

Partire Tensione di scarico totale istantanea = -Transconduttanza*Tensione di ingresso*Resistenza al carico

Tensione di uscita dell'amplificatore BJT

Partire Tensione di uscita = Tensione di alimentazione-Assorbimento di corrente*Resistenza al carico

Tensione di uscita data la transconduttanza

Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Resistenza al carico*Tensione di ingresso)

Tensione tra Gate e Source

Partire Tensione gate-source = Tensione di ingresso/(1+Transconduttanza*Resistenza)

Piccola tensione di ingresso del segnale data la transconduttanza

Partire Piccolo segnale = Tensione di ingresso*(1/(1+Transconduttanza*Resistenza))

Singolo componente della tensione di scarico

Partire Tensione di scarico totale istantanea = (-Modifica della corrente di scarico*Resistenza al carico)

Tensione collettore-emettitore alla saturazione

Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore

Tensione totale istantanea gate-to-source

Partire Tensione gate-source = Piccolo segnale+Tensione attraverso l'ossido

Tensione di alimentazione alla massima dissipazione di potenza

Partire Tensione di alimentazione = (pi*Energia)/2

< 20 Circuito BJT Calcolatrici

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Potenza totale dissipata in BJT

Partire Energia = Tensione collettore-emettitore*Corrente del collettore+Tensione base-emettitore*Corrente di base

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Corrente di riferimento dello specchio BJT

Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Rapporto di reiezione di modo comune

Partire Rapporto di reiezione di modo comune = 20*log10(Guadagno in modalità differenziale/Guadagno di modo comune)

Guadagno di corrente a base comune

Partire Guadagno di corrente a base comune = Guadagno di corrente dell'emettitore comune/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Resistenza di uscita di BJT

Partire Resistenza = (Tensione di alimentazione+Tensione collettore-emettitore)/Corrente del collettore

Tensione di uscita dell'amplificatore BJT

Partire Tensione di uscita = Tensione di alimentazione-Assorbimento di corrente*Resistenza al carico

Potenza totale fornita in BJT

Partire Energia = Tensione di alimentazione*(Corrente del collettore+Corrente di ingresso)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore

Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore

Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente del collettore usando la corrente dell'emettitore

Partire Corrente del collettore = Guadagno di corrente a base comune*Corrente dell'emettitore

Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune

Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore

Tensione collettore-emettitore alla saturazione

Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore

Corrente del collettore di BJT

Partire Corrente del collettore = Corrente dell'emettitore-Corrente di base

Corrente di emettitore di BJT

Partire Corrente dell'emettitore = Corrente del collettore+Corrente di base

Transconduttanza di cortocircuito

Partire Transconduttanza = Corrente di uscita/Tensione di ingresso

Guadagno intrinseco di BJT

Partire Guadagno intrinseco = Tensione iniziale/Tensione termica

Tensione collettore-emettitore alla saturazione Formula

Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore
V_CE = V_BE-V_BC

Cos'è V

La tensione da collettore a emettitore v

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