Concentração de Carreadores Intrínsecos sob Condições de Não Equilíbrio Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Concentração de portadores majoritários*Concentração de portadores minoritários)
ni = sqrt(n0*p0)
Esta fórmula usa 1 Funções, 3 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.
Concentração de portadores majoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores majoritários é o número de portadores na banda de condução sem viés aplicado externamente.
Concentração de portadores minoritários - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores minoritários é o número de portadores na banda de valência sem viés aplicado externamente.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Concentração de portadores majoritários: 110000000 1 por metro cúbico --> 110000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de portadores minoritários: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
ni = sqrt(n0*p0) --> sqrt(110000000*91000000)
Avaliando ... ...
ni = 100049987.506246
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
100049987.506246 1 por metro cúbico --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
100049987.506246 1E+8 1 por metro cúbico <-- Concentração de Portadores Intrínsecos
(Cálculo concluído em 00.008 segundos)

Créditos

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Criado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnologia da Informação (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni criou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Equipe Softusvista
Escritório Softusvista (Pune), Índia
Equipe Softusvista verificou esta calculadora e mais 1100+ calculadoras!

16 Características do portador de carga Calculadoras

Concentração Intrínseca
​ Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva na banda de valência*Densidade efetiva na banda de condução)*e^((-Dependência da Temperatura do Gap da Banda de Energia)/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Sensibilidade de Deflexão Eletrostática do CRT
​ Vai Sensibilidade de Deflexão Eletrostática = (Distância entre placas defletoras*Distância da tela e das placas defletoras)/(2*Deflexão do Feixe*Velocidade do elétron)
Densidade de corrente devido a elétrons
​ Vai Densidade de Corrente Eletrônica = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade do Elétron*Intensidade do Campo Elétrico
Densidade de corrente devido a furos
​ Vai Densidade atual dos furos = [Charge-e]*Concentração de Buracos*Mobilidade de Buracos*Intensidade do Campo Elétrico
Concentração de Carreadores Intrínsecos sob Condições de Não Equilíbrio
​ Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Concentração de portadores majoritários*Concentração de portadores minoritários)
Constante de difusão de elétrons
​ Vai Constante de difusão de elétrons = Mobilidade do Elétron*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])
Constante de Difusão de Buracos
​ Vai Constante de Difusão de Buracos = Mobilidade de Buracos*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])
Força no elemento atual no campo magnético
​ Vai Força = elemento atual*Densidade do fluxo magnético*sin(Ângulo entre Planos)
Período de tempo do elétron
​ Vai Período do caminho circular da partícula = (2*3.14*[Mass-e])/(Força do campo magnético*[Charge-e])
Comprimento de difusão do furo
​ Vai Comprimento da Difusão dos Furos = sqrt(Constante de Difusão de Buracos*Tempo de Vida do Porta-Furos)
Velocidade do Elétron
​ Vai Velocidade devido à tensão = sqrt((2*[Charge-e]*Tensão)/[Mass-e])
Condutividade em metais
​ Vai Condutividade = Concentração de elétrons*[Charge-e]*Mobilidade do Elétron
Velocidade do Elétron em Campos de Força
​ Vai Velocidade do elétron em campos de força = Intensidade do Campo Elétrico/Força do campo magnético
Tensão Térmica
​ Vai Tensão Térmica = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]
Densidade de Corrente de Convecção
​ Vai Densidade de Corrente de Convecção = Densidade de carga*Velocidade de Carga
Tensão Térmica usando a Equação de Einstein
​ Vai Tensão Térmica = Constante de difusão de elétrons/Mobilidade do Elétron

Concentração de Carreadores Intrínsecos sob Condições de Não Equilíbrio Fórmula

Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Concentração de portadores majoritários*Concentração de portadores minoritários)
ni = sqrt(n0*p0)

Definir a concentração de equilíbrio do portador?

O número de portadores na banda de condução e valência sem polarização aplicada externamente é chamado de concentração de portador de equilíbrio. Para a maioria dos portadores, a concentração de equilíbrio de portadores é igual à concentração intrínseca de portadores mais o número de portadores livres adicionados por dopagem do semicondutor. Na maioria das condições, o doping do semicondutor é várias ordens de magnitude maior do que a concentração intrínseca de portadores, de modo que o número de portadores majoritários é aproximadamente igual ao dopagem. No equilíbrio, o produto da concentração majoritária e minoritária do portador é uma constante.

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